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FET（Power Mos）測試機和測量儀器簡介
閱讀：524 發布時間：2024-3-21FET（Power Mos）測試機和測量儀器簡介
| 我公司專業從事半導體檢測設備和測量儀器的設計和生產。 發布本公司生產的測試儀，包括場效應管L負載測試儀、場效應管、晶體管熱阻測量儀等。 規格可以根據產品樣品進行更改，并且我們可以根據測量條件滿足各種要求，例如升高或降低電壓或電流。 |
 EF-5202面板 |  EF-5202面板背面 |
l 負載測試設備（MOS FET）
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| 該裝置是對樣品施加安全操作區（ASO）內的高電壓和大電流以檢查樣品是否會被破壞的測試裝置。 將L（電感）連接到樣品（DUT）的漏極作為負載，并控制輸入柵極電壓來 切換DUT。由于DUT的切換，L負載兩端會產生反電動勢，根據此時產生的電壓和電流來測試DUT的耐受能力。 |
測量規格
| VDS電源 | VG1電源 | VG2電源 | |
|---|---|---|---|
| 設定電壓范圍 | 0.0V~50.0V | 0.0V~+30.0V | 0.0V~-30.0V |
| 設置分辨率 | 1.0V | 0.1V | 0.1V |
| 輸出電流 | 40A以上 | +100mA以上 | -100mA以上 |
| 設定精度 | ±(1%+0.5A)以內 | ±(1%+0.1A)以內 | ±(1%+0.1A)以內 |
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現成產品概要
| 場效應管-901 | |
|---|---|
| 大功率負載測試設備500V-100A | |
| 場效應管-902 | |
| 小功率L負載測試設備200V-30A FET/晶體管組合型 | |
| 場效應管-9205 | |
| 可以用ROM編程 | |
| EF-5002 | |
| 硬 L 和軟 L 測試可使用同一端子進行。 可進行 100V-60A 多路復用器操作（2CH）。 | |