當前位置:> 供求商機> HEP-MC8000-晶圓檢測機
檢查項目 | 確認方法 | 判 定 | 備 注 | |
表面缺陷檢查 | 崩邊、缺口 | 2 檢出率=檢出不合格品數/不合格品總數*100% 2 誤檢率=誤檢產品數/產品總數*100% 1.檢出率:每種缺陷準備10張硅片,反復各運行50次,驗證檢出率; 2.誤檢率:運行2000片硅片,對檢出的硅片人工復檢,確認誤檢的產品數量,計算誤檢率; | 見3條中的技術指標 |
圖像灰度值差距>30 |
臟污 | 見3條中的技術指標 | |||
劃傷 | 見3條中的技術指標 | |||
3D檢測 | 厚度 | 1.絕對精度:測量標準樣品(或1片硅片)與投影儀實測數據比較; 2.GR&R:測量標準樣品(或1片硅片)10次得到測量結果進行計算GR&R; | 見3條中的技術指標 | |
TTV | 見3條中的技術指標 | |||
翹曲、變形 | 見3條中的技術指標 | |||
平面度 | 晶圓正面抽樣點和擬合平面最大偏差值 | |||
粗糙度 | 連續抽樣多點高度計算 |
檢查項目 | 指 標 | 備 注 | |
表面缺陷檢查 | 崩邊(非立崩)、缺口 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率100% | 圖像灰度值差距>30;列出大小指標是可檢能力,設置過小會存在誤判多的問題,因此設定參數需按實際生產需求設定; |
沾污 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率≥95% 誤檢率<0.5%(大小≥450um*450um情況下或實際生產需求設定的指標) | ||
劃傷 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率>95%(大小≥170um*450um情況下或實際生產需求設定的指標) 劃傷淺易漏檢 | ||
3D檢測 | 厚度 | 檢測精度分辨率+/-0.25um 測量重復性:≤±1μm GR&R<10% | 最大、最小、平均值 |
TTV | 測量精度+/-2um GR&R<10% | TTV整條線 | |
翹曲、變形 | 測量精度+/-2um GR&R<20% | 最大值 | |
平面度 | +/-0.5um | 偏差值 | |
粗糙度 | 計算值 | ||
處理能力 | 檢測周期 | 60s/片 |
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