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武漢賽斯特精密儀器有限公司
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HEP-MC8000-晶圓檢測機
  • HEP-MC8000-晶圓檢測機
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貨物所在地:湖北武漢市

更新時間:2024-11-03 21:00:08

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該設備采用非接觸檢測系統,對晶圓的平面度、厚度、粗糙度等進行檢測并分類,并完成晶圓標記及數據處理。
該設備產能:1片/分鐘。該設備主要包含:
運動機構:將晶圓放入工作臺,通過高精度運動模組,移動晶圓進行掃描檢測;
檢測部分:集成相機、激光三維輪廓測量儀、位移激光傳感器對晶圓的厚度、平面度、粗糙度等進行全方面的檢測;

檢查項目

確認方法

判 定

備 注

表面缺陷檢查

崩邊、缺口

2  檢出率=檢出不合格品數/不合格品總數*100%

2  誤檢率=誤檢產品數/產品總數*100%

1.檢出率:每種缺陷準備10張硅片,反復各運行50次,驗證檢出率;

2.誤檢率:運行2000片硅片,對檢出的硅片人工復檢,確認誤檢的產品數量,計算誤檢率;

3條中的技術指標

 

 

 

 

 

圖像灰度值差距>30

臟污

3條中的技術指標

劃傷

3條中的技術指標

3D檢測

厚度

1.絕對精度:測量標準樣品(或1片硅片)與投影儀實測數據比較;

2.GR&R:測量標準樣品(或1片硅片)10次得到測量結果進行計算GR&R

3條中的技術指標


TTV

3條中的技術指標


翹曲、變形

3條中的技術指標


平面度

晶圓正面抽樣點和擬合平面最大偏差值

粗糙度

連續抽樣多點高度計算

檢查項目

備 注

表面缺陷檢查

崩邊(非立崩)、缺口

可檢能力≥170um*170um

檢出率100%

圖像灰度值差距>30;列出大小指標是可檢能力,設置過小會存在誤判多的問題,因此設定參數需按實際生產需求設定;

沾污

可檢能力≥170um*170um

檢出率≥95%

誤檢率<0.5%(大小≥450um*450um情況下或實際生產需求設定的指標)

劃傷

可檢能力≥170um*170um

檢出率>95%(大小≥170um*450um情況下或實際生產需求設定的指標)

劃傷淺易漏檢

3D檢測

厚度

檢測精度分辨率+/-0.25um

測量重復性:≤±1μm

GR&R<10%

最大、最小、平均值

TTV

測量精度+/-2um

GR&R<10%

TTV整條線

翹曲、變形

測量精度+/-2um

GR&R<20%

最大值

平面度

+/-0.5um

偏差值

粗糙度

計算值

處理能力

檢測周期

60s/




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