半導體SiC動態參數測試儀

技術指標

1.小電流i-v ： 超低漏電流（fA），最 大電壓200V，最大電流1A； 2.高電壓I-V ： 最大電壓1000V 3.通用I-V ： 適合于大多數參數測試 4.c-v單元： 能夠在1MHz下測量10pF電 容，準確度達1%。

主要功能

自動完成多路硅微條探測器中多條探測單元的I-V特性、C-V特性、擊穿特性等參數測量，無需人工一點一點的測量。其主要任務是快速高效地甄別多路硅微條探測性能，從而優化工藝，提高探測器性能，更好的服務于核物理實驗。

包括：

半導體二極管：鍺二極管、硅二極管、化合物二極管等；

半導體三極管：鍺三極管、硅三極管、化合物三極管等；

特種器件及傳感器；

敏感器件：壓力敏感器件、磁敏器件（含霍爾器件及霍爾電路）、氣敏器件、濕敏器件、離子敏感器件、聲敏感器件、射線敏感器件、生物敏感器件、靜電感器件等；

裝好的壓電晶體類似半導體器件；

半導體器件專用零件。

半導體SiC動態參數測試儀

武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業研發，以力學試驗機儀器為主，同時銷售各種、中低端分析儀器。現有員工60多人，公司成功開發了PCI放大采集卡和中文版試驗軟件，并采用全數字化，操作簡捷，*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標準、國家標準、行業標準的要求，公司亦通過了ISO9001質量體系認證和國家計量體系認證，榮獲了“武漢市第九界消費者滿意單位"的稱號。