MDEXX德國變壓器-代理
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MDEXX 21F4564-1ZA63-5BG6 德國 8504319000 變壓器 非液體介質,額定容量630VA
MDEXX 2IL1564-1AC13 22239179 德國 8504319001 變壓器 非液體介質,額定容量631VA
MDEXX TAM3296-0AT70-0NA0 德國 8504319002 變壓器 非液體介質,額定容量632VA
MDEXX TAM5542-8DD40-0FA0 德國 8504319003 變壓器 非液體介質,額定容量633VA
MDEXX TAV3300-2EB00-0A 德國 8504319004 變壓器 非液體介質,額定容量634VA
MDEXX TAM5742-8DD40-0FA0 德國 8504319005 變壓器 非液體介質,額定容量635VA
MDEXX 2CS6400-1RK81-6BH3 22251181 德國 8504319006 變壓器 非液體介質,額定容量636VA
MDEXX TAM4842-5AT10-0FA0 德國 8504319007 變壓器 非液體介質,額定容量637VA
MDEXX TAM5742-5AT10-0FA0 德國 8504319008 變壓器 非液體介質,額定容量638VA
MDEXX TAM6442-5AT10-0FA0 德國 8504319009 變壓器 非液體介質,額定容量639VA
MDEXX TAP3095-0UA01-8AN2 德國 8504319010 變壓器 非液體介質,額定容量640VA
MDEXX TAM5242-5AT10-0FA0 德國 8504319011 變壓器 非液體介質,額定容量641VA
MDEXX 21L1714-1BE63 德國 8504319012 變壓器 非液體介質,額定容量642VA
MDEXX TAM6542-5AT10-OFAO 德國 8504319013 變壓器 非液體介質,額定容量643VA
MDEXX TAT3612-5AT10-0FA0 德國 8504319014 變壓器 非液體介質,額定容量644VA
MDEXX TEU2752-0AE20-0AA0 22225152 德國 8504319015 變壓器 非液體介質,額定容量645VA
MDEXX TAM5742-4TT10-0FA0 德國 8504319016 變壓器 非液體介質,額定容量646VA
MDEXX 2CF4726-1NA91-2KBO 德國 8504319017 變壓器 非液體介質,額定容量647VA
MDEXX TAM5742-4XS10-0FA0 德國 8504319018 變壓器 非液體介質,額定容量648VA
MDEXX TAM4842-4XS10-0FA0 德國 8504319019 變壓器 非液體介質,額定容量649VA
MDEXX TAM4842-4TN00-0EA0 德國 8504319020 變壓器 非液體介質,額定容量650VA
MDEXX TAM4842-4TT10-0FA0 德國 8504319021 變壓器 非液體介質,額定容量651VA
MDEXX TAM5242-5AT10-0FA0 德國 8504319022 變壓器 非液體介質,額定容量652VA
MDEXX TAM5242-5AT10-0FA0 德國 8504319023 變壓器 非液體介質,額定容量653VA
MDEXX TAM6142-4XS10-0FA0 德國 8504319024 變壓器 非液體介質,額定容量654VA
MDEXX TAM6542-4XS10-0FA0 德國 8504319025 變壓器 非液體介質,額定容量655VA
MDEXX TAT3032-5AT10-0FC0 德國 8504319026 變壓器 非液體介質,額定容量656VA
半導體是介于導體與絕緣體之間的一種介質,在不同的條件下可以表現出導電或者不導電的特性。
常見的半導體材料有硅,鍺,磷等元素周期表中處于金屬與非金屬交界處的四價元素。其中硅是各種半導體材料應用中具有的一種。
分類:
半導體可以分為本征半導體和非本征半導體。
本征半導體:*不含雜質的純凈半導體,載流子只能靠本征激發產生,導電性差。
非本征半導體:參有雜質,分為N型半導體和P型半導體。
N型半導體:
在本征半導體中摻入+5價元素(P,Sb)的半導體,給出多的電子變成正離子。
半導體因為摻雜多出的載流子為自由電子,所以稱為N型半導體。
N型半導體中的自由電子稱為多數載流子。
電子是多數載流子,簡稱多子,空穴是少數載流子,簡稱少子。
因為摻雜的雜質給出電子,故N型也稱施主雜質。
P型半導體:
在本征半導體中摻入+3價元素(B,Ai)的半導體,得到多的電子變負離子。
半導體因為摻雜多出的載流子為空穴,所以稱為P型半導體。
P型半導體中的空穴是多數載流子,簡稱多子。
因為摻入的雜質接受電子,故P型也稱受主雜質。
特性:
1、熱敏特性
半導體的電阻率會隨溫度變化會發生明顯地改變。
例如純鍺,濕度每升高10 度,它的電阻率就要減小到原來的1╱2。
利用半導體的熱敏特性,可以制作感溫元件——熱敏電阻,用于溫度測量和控制系統中。
2、光敏特性
半導體的電阻率對光的變化十分敏感。有光照時、電阻率很小﹔無光照時,電阻率很大。
例如,常用的硫化鎘光敏電阻,在沒有光照時,電阻高達幾十兆歐姆,受到光照時,電阻一下子降到幾十千歐姆,電阻值改變了上千倍。
利用半導體的光敏特性,制作出多種類型的光電器件,如光電二極管、光電三極管及硅光電池等.廣泛應用在自動控制和無線電技術中。
3、摻雜特性
在純凈的半導體中,摻人極微量的雜質元素,就會使它的電阻率發生極大的變化。
例如,在純硅中摻入百萬分之—的硼元素,其電阻率減小。
人們可以通過摻入某些特定的雜質元素,精確地控制半導體的導電能力,制造成不同類型的半導體器件。
用途:
半導體材料制作成的元器件被廣泛應用在電子技術的各個方面。比較重要的領域有集成電路、微波器件和光電子器件。
1、集成電路
它是半導體技術發展中的一個領域,已發展到大規模集成的階段。
在幾平方毫米的硅片上能制作幾萬只晶體管,可在一片硅片上制成一臺微信息處理器,或完成其它較復雜的電路功能。
集成電路的發展方向是實現更高的集成度和微功耗,并使信息處理速度達到微微秒級。
2、微波器件
半導體微波器件包括接收、控制和發射器件等。
毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。
在厘米波段,發射器件的功率已達到數瓦,人們正在通過研制新器件、發展新技術來獲得更大的輸出功率。
3、光電子器件
半導體發光、攝象器件和激光器件的發展使光電子器件成為一個重要的領域。
它們的應用范圍主要是:光通信、數碼顯示、圖象接收、光集成等。