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深圳市普索進出口貿(mào)易有限公司（普索貿(mào)易）是一家專業(yè)經(jīng)營工控行業(yè)備件進口的公司，公司依托德國分公司在歐盟區(qū)域常年的采購經(jīng)驗，與歐盟境內(nèi)3000多個工控品牌，5000多家供應商建立起長久的合作，為客戶提供100％原裝正品的工業(yè)產(chǎn)品及零部件的同時提供優(yōu)質(zhì)的價格及服務。
REO ELEKTRONIK德國 變頻器
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REO ELEKTRONIK AG REOVIB MFS 268 DP 變頻器 用途：振動給料器用，功率880W
REO ELEKTRONIK AG REO DC-Stromversorgung 7,5 kW REOTRON SMP-ESM 250-30 Kompaktes Netzteil, aufgebaut als 19“ Einschubmodul 變頻器 用途：振動給料器用，功率881W
REO ELEKTRONIK AG REO-Thyristorregelger?t REOTRON MEW 700/10 變頻器 用途：振動給料器用，功率882W
Conductix-Wampfler 0.661451225 081-1101-0021 德國 夾頭 48 0.48 0.58 41.14 1974.72
Bürkert 0.461755868 00238936 德國 8481804090 開關閥 用途：管道用，功能：控制管道流體的通斷，閥芯材質(zhì)：鋼鐵，兩位兩通 1 0.1 0.3 71.6 71.6
EGE 0.929313439 STS 215 KH P11212 德國 9026100000 流量傳感器 功能：檢測流量，檢測對象：液體 1 0.300 0.454 241.13 241.13
Bürkert 0.547530959 444006 法國 9026100000 流量傳感器 1 0.582 0.75 366.9 366.9
Bürkert 0.544385946 00919267 捷克 8544421100 電纜 用途：傳感器用，帶接頭，額定電壓24V，5M/根 4 1 1.553 23.37 93.48
microsonic 0.620197718 HPS+35/DIU/TC/E/G1 Germany 9026100000 液位傳感器 功能：檢測液位，檢測對象：液體 7 1.75 2.1 333.74 2336.18
VISION&CONTROL 0.012236587 d27 / M25,5x0,5 Germany LED燈 1 0.08 0.1 34.68 34.68
microsonic 0.76176827 zws-15/BE/MAN3.1 Germany 9031809090 超聲波傳感器 用途：工業(yè)流水線上用，功能：檢測有無產(chǎn)品靠近，原理：通過發(fā)射超聲波信號并接收反射信號來檢測有無產(chǎn)品靠近，無測量結(jié)果顯示 2 0.4 0.48 256.27 512.54
microsonic 0.017858466 MIC+340/IU/TC 德國 9031809090 超聲波傳感器 用途：工業(yè)流水線上用，功能：檢測有無產(chǎn)品靠近，原理：通過發(fā)射超聲波信號并接收反射信號來檢測有無產(chǎn)品靠近，無測量結(jié)果顯示 1 0.200 0.307 266.55 266.55
ELESTA 0.517704311 SIF422024VDC 德國 8536411000 繼電器 用途：電路安全控制用，電壓24V 2 0.400 0.940 51.26 102.52
BURKERT 0.985448037 501970 Germany 8481802990 換向閥 用途：管道用，非電磁式，功能：換向，閥芯材質(zhì)：鋼鐵，兩位四通 3 1.2 1.5 61.81 185.43
KISTLER 0.284205841 1200A151C5 18000142 德國 8544421100 電纜 用途：傳感器用，帶接頭，額定電壓24V 2 2 4.119 148 296
LUMBERG 0.249265299 KGR 50/6 波蘭 8536901100 接插件 用途：信號傳輸用，電壓24V 1 0.01 0.018 117.51 117.51
brand 0.158867831 type country Qty NW GW unit price value
SCHMERSAL 0.065409838 MP-AZ/AZM300-1 Germany 8505909090 線圈鎖定塊 用途：線圈鎖定裝置用，原理：被線圈鎖定裝置吸引固定用 2 0.4 0.46 7.34 14.68
Lika 0.349706073 EMC5810/16BS-15-R-D0,2 德國 8543709990 編碼器 用途：工業(yè)控制設備用，功能：將旋轉(zhuǎn)位移變化轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栞敵?span style="white-space:pre"> 2 0.600 1.261 244.90 489.80
Hoffmann 0.012928323 580400 Sweden 8202100000 金屬鋸 用途：鋸金屬用，材質(zhì)：合金鋼，種類：手工鋸，手工鋸不需報是否帶工作部件 5 2.5 3 16.27 81.35
CHERRY 0.161409366 G84-4400LPBEU-0 德國 8471607100 鍵盤 機型：工控電腦通用，連接方式：有線，電腦用 5 2.500 3.725 105.47 527.35
Delock 0.128412346 DeLOCK 62588 USB Isolator mit 5 KV Isolation 0.15 m 90647968 德國 8543709990 信號隔離器 用途：自動控制設備用，功能：將USB端口傳遞過來的信號進行隔離、變換，以免受到干擾 2 0.6 0.8 66.35 132.7
STAUBLI 0.879474186 RBE11.1153/IA/OD/W./JV 法國 接頭 2 0.40 0.60 170.13 340.26
磁控濺射是物理氣相沉積( Physical Vapor Deposition,υ)的種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點。上世紀70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行髙速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場,利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。
原理：磁控空濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用,產(chǎn)生E(電場)xB(磁場)所指的方向漂移,簡稱ExB漂移,其運動軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,它們的運動路徑不僅很長,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離岀大量的Ar來轟擊靶材,從而實現(xiàn)了高的沉積速率。隨隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠離靶表面,并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。
磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復雜的散射過程,和靶原子碰撞，把部分動量傳遞給靶原子，此靼原子又和其他靶原子碰撞,形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶，被濺射出來
原理圖
濺射技術(shù)
直流濺射法
直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法只能濺射導體材料,不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時,表面的離子電荷無法中和,這將導致靶面電位升高,外加電壓幾乎都加在靶上,兩極間的離子加速與電離的機會將變小,甚至不能電離,導致不能連續(xù)放電甚至放電停止,濺射停止。故對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?須用射頻濺射法(RF）
濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程:入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子;某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘(對于金屬是5-10eV),從而從晶格點陣中被碰撞岀來,產(chǎn)生離位原子;這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞,產(chǎn)生碰撞級聯(lián);當這種碰撞級聯(lián)到達靶材表面時,如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能(對于金屬是1-6eV),這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空
濺射鍍膜
濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常,利用低壓惰性氣體輝光放電來產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成,基片作為陽極,真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶表面,使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多,主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等
由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的,因而濺射出來的原子能量高,有利于提高沉積時原子的擴散能力,提高沉積組織的致密程度,使制出的薄膜與基片具有強的附著力。濺射時,氣體被電離之后,氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材,電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下,產(chǎn)生的離子數(shù)目少,靶材濺射效率低;而在高電壓和高氣壓下,盡管可以產(chǎn)生較多的離子,但飛向基片的電子攜帶的能量高,容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射,影響制膜質(zhì)量。另外,靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加,因而被散射到整個腔體,既會造成靶材浪費,又會在制備多層膜時造成各層的污染。
濺射后的銀靶材
為了解決陰極濺射的缺陷,人們在20世紀年代開發(fā)岀了直流磁控濺射技術(shù),它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點,因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應用
其原理是:在磁控濺射中,由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力,它們的運動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運動,其運動路徑變長,因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù),使等離子體密度增大,從而磁控濺射速率得到很大的提高,而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,降低薄膜污染的傾向;另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時,經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時,已變成低能電子,從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有高速、“低溫"的優(yōu)點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜,而且磁電極中采用的不均勻磁場會使靶材產(chǎn)生顯著的不均勻刻蝕,導致靶材利用率低,一般僅為20%-30%
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