DBH德國安裝背板162825

DBH德國安裝背板162825

DBH 162825 162825 安裝背板 其他工業用鋁制品
DBH 162825 002106442-0000 安裝背板 其他工業用鋁制品

ewo 274.665 德國 8481100090 減壓閥
ACS gmbh X1.218.55.000.1J 德國 8481804090 開關閥
ZIEHL-ABEGG GR31M-2DK.5H.2R 120621 德國 8414593000 離心風機
ZIEHL-ABEGG GR31M-2DK.5H.2R 120621 德國 8414593000 離心風機
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LED2WORK 141014-04 德國 9405409000 照明燈
JAURE SX-255.6 KTLA0010028 德國 8484100000 密封墊
Riels RIB100-L60C 德國 9026209090 壓力傳感器
Mayser SG-EFS 104ZK2/1 1000841 德國 8536411000 繼電器
Eisele 621-0804 德國 7307990000 接頭
microsonic hps+80/I/GF/OS/K5 12 412 德國 9031809090 超聲波傳感器
ENEMAC 0070033214H7 德國 8483600090 聯軸器
Bürkert 238939 德國 8481804090 開關閥
Bürkert 0331 41198 德國 8481802190 換向閥
Bürkert 186289 德國 9032899090 閥門定位器
Bürkert 444006 法國 9026100000 流量計
Bürkert 238931 德國 8481804090 開關閥
G&D CPU-DP-U-2 德國 8544421100 電纜
G&D CPU-DVID-DL-U-2 德國 8544421100 電纜
TECNA 6410 9321 意大利 8428909090 平衡器
STRACK Z5140-1 185310 德國 8477900000 定位塊
STRACK Z5130-27 182694 德國 8477900000 定位塊
STRACK Z5140-0 162931 德國 8477900000 定位塊
sesino T60 CF2 意大利 8419500090 過濾器
VEIT 156506 德國 8421399090 過濾器
VEIT 2111010450 德國 3926901000 墊板
VEIT 4215710020 德國 3926901000 底板
VEIT 4215720140 德國 8544421100 電纜
VEIT 4221620120 德國 8421399090 過濾器
VEIT 9290650540 德國 8538900000 按鈕
Bürkert 61104 德國 8481802190 換向閥
Isoloc UMS18-ASA/10(pat.) 31812 德國 7326901900 支撐腳
Isoloc UMS18-ASA/10(pat.) 31812 德國 7326901900 支撐腳
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RIEGLER 226.01-0,2 103929 德國 8481300000 止回閥
EGE IGMF 005 GOP/10meter P30706/10 德國 9031809090 電感傳感器
SSR UV-Reflektor 150 O-BB 330.101 德國 9001901000 濾光鏡
friatec F903-21100-0 德國 6909190000 陶瓷條
Bürkert 178255 德國 8481804090 開關閥
Bürkert 184991 德國 8481803990 流量閥
Bürkert 429235 德國 9027809900 PH電極
RIEGLER 229.01-0,3 德國 8481400000 安全閥

磁控濺射是物理氣相沉積( Physical Vapor Deposition,υ)的種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀70年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行髙速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場,利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

原理：磁控空濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞,使其電離產生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產生的二次電子會受到電場和磁場作用,產生E(電場)xB(磁場)所指的方向漂移,簡稱ExB漂移,其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,它們的運動路徑不僅很長,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離岀大量的Ar來轟擊靶材,從而實現了高的沉積速率。隨隨著碰撞次數的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠離靶表面,并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程,和靶原子碰撞，把部分動量傳遞給靶原子，此靼原子又和其他靶原子碰撞,形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶，被濺射出來

原理圖

濺射技術

直流濺射法

直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法只能濺射導體材料,不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時,表面的離子電荷無法中和,這將導致靶面電位升高,外加電壓幾乎都加在靶上,兩極間的離子加速與電離的機會將變小,甚至不能電離,導致不能連續放電甚至放電停止,濺射停止。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材,須用射頻濺射法(RF）

濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程:入射粒子與靶材原子發生彈性碰撞,入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子;某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘(對于金屬是5-10eV),從而從晶格點陣中被碰撞岀來,產生離位原子;這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞,產生碰撞級聯;當這種碰撞級聯到達靶材表面時,如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結合能(對于金屬是1-6eV),這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空

濺射鍍膜

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術。通常,利用低壓惰性氣體輝光放電來產生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成,基片作為陽極,真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶表面,使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多,主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等

由于被濺射原子是與具有數十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的,因而濺射出來的原子能量高,有利于提高沉積時原子的擴散能力,提高沉積組織的致密程度,使制出的薄膜與基片具有強的附著力。濺射時,氣體被電離之后,氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材,電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下,產生的離子數目少,靶材濺射效率低;而在高電壓和高氣壓下,盡管可以產生較多的離子,但飛向基片的電子攜帶的能量高,容易使基片發熱甚至發生二次濺射,影響制膜質量。另外,靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加,因而被散射到整個腔體,既會造成靶材浪費,又會在制備多層膜時造成各層的污染。

濺射后的銀靶材

為了解決陰極濺射的缺陷,人們在20世紀年代開發岀了直流磁控濺射技術,它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點,因而獲得了迅速發展和廣泛應用

其原理是:在磁控濺射中,由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力,它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動,其運動路徑變長,因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數,使等離子體密度增大,從而磁控濺射速率得到很大的提高,而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,降低薄膜污染的傾向;另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時,經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時,已變成低能電子,從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有高速、“低溫"的優點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜,而且磁電極中采用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕,導致靶材利用率低,一般僅為20%-30%