原位MEMS-STM-TEM樣品桿多場測量系統產品是一種革命性的原位透射電子顯微鏡實驗系統，使研究者可以在透射電子顯微鏡中構建一個可控的多場環境（包括力、熱、光、電等），從而對材料或者器件等樣品實現多重激勵下的原位表征。

原位MEMS-STM-TEM樣品桿多場測量系統性能指標

透射電鏡指標：

● 兼容電鏡型號及極靴；

● 可選雙傾版本，雙傾電學測量樣品桿Y軸傾角±25°（同時受限于極靴間距）；

電學測量指標：

● 包含一個電流電壓測試單元；

● 電流測量范圍：１ nA-30 mA，9個量程；

● 電流分辨率：優于100 fA；

● 電壓輸出范圍：普通模式±10 V，高壓模式±150 V；

● 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

掃描探針操縱指標：

● 粗調范圍：XY方向2.5 mm，Z方向1.5 mm；

● 細調范圍：XY方向18 um，Z方向1.5 um；

● 細調分辨率：XY方向0.4 nm，Z方向0.04 nm。

光纖指標：

● 多模光纖外徑250 um，保證電鏡系統真空指標；

● 可選光纖探針、平頭光纖；

● 配備快速SMA接頭、FC接頭。

加熱指標：

● 溫度范圍：室溫到1000 ℃；

● 溫度準確度優于 5% ；

● 溫度穩定性：優于±0.1 ℃。

產品特色

可通過簡單更換MEMS芯片種類以及不同STM探針為樣品施加zui多四種激勵，實現多種復雜的測試功能，完成以往無法實現的研究。

（1）高溫拉伸/壓縮（加熱芯片+電學STM探針）；

（2）熱電子發射/場發射（加熱芯片+電學STM探針）；

（3）三端器件測量（電學芯片+電學STM探針）；

（4）電致發光現象研究（電學芯片+光學STM探針）；

（5）光電現象研究（電學芯片+光學STM探針）。