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安徽天康(集團)股份有限公司
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本安計算機屏蔽電纜

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具體成交價以合同協議為準

產品型號

品       牌天康集團

廠商性質生產商

所  在  地滁州市

更新時間:2024-07-17 14:33:27瀏覽次數:737次

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產地類別 國產 應用領域 生物產業,石油,地礦,能源,交通
本安計算機屏蔽電纜(或稱本安DCS系統用電纜)適用于石油、化工、電力、煤氣工程、礦山等存在爆炸危險的場合以及其它防爆安全要求較高的場合,傳輸自動控制信號。該電纜具有低電容、低電感集散型儀表信號電纜,簡稱本安DCS系統用電纜,具有優異的屏蔽性能和抗干擾性能,因此防爆安全性能明顯高于一般DCS系統電纜和計算機控制電纜。

本安計算機用屏蔽電纜(或稱本安DCS系統用電纜)適用于石油、化工、電力、煤氣工程、礦山等存在爆炸危險的場合以及其它防爆安全要求較高的場合,傳輸自動控制信號。該電纜具有低電容、低電感集散型儀表信號電纜,簡稱本安DCS系統用電纜,具有優異的屏蔽和抗干擾,因此防爆安全明顯高于一般DCS系統電纜和計算機控制電纜。


 生產執行標準

企業標準


 使用特點

1、交流額定電壓U0/U300/500V
2
、電纜導體長期允許zui高工作溫度:聚氯乙烯絕緣為70;交聯聚乙烯絕緣為90;無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣為70。
3、zui低環境溫度:固定敷設-40;非固定敷設-15;安裝敷設時環境溫度:不低于0
4、電纜允許彎曲半徑:非鎧裝、編織屏蔽電纜不小于電纜外徑的6倍;銅帶屏蔽、鎧裝電纜不小于電纜外徑的12倍。


 基本型號

 

型號

名稱

IA-DJYPVP

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜

IA-DJYPVPR

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜

IA-DJYP3VP3

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

IA-DJYP3VP3R

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

IA-DJYP2VP2

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

IA-DJYP2VP2R

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

IA-DJYJPVP

交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜

IA-DJYJPVPR

交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜

IA-DJYJP3VP3

交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

IA-DJYJP3VP3R

交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

IA-DJYJP2VP2

交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

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交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

WDZ-IA-DJYPVP

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安DCS電纜

WDZ-IA-DJYPVPR

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜

WDZ-IA-DJYP3VP3

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

WDZ-IA-DJYP3VP3R

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

WDZ-IA-DJYP2VP2

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

WDZ-IA-DJYP2VP2R

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

 

 規格范圍

對數:1-24
每對芯數:二芯(稱二線組),三芯(稱三線組)
導體截面:0.5、0.75、1.01.5、2.5


 技術參數

1、20導體直流電阻及導體結構


標稱截面(mm2

導體結構(根數/單絲直徑mm

20直流電阻Ω/km

A

B

R

A、B

R

0.5

1/0.8

7/0.3

16/0.2

≤36.0

≤39.0

0. 75

1/0.97

7/0.37

24/0.2

≤24.5

≤26.0

1.0

1/1.13

7/0.43

32/0.2

≤18.1

≤19.5

1.5

1/1.38

7/0.52

30/0.25

≤12.1

≤13.3

2.5

1/1.78

7/0.68

49/0.25

≤7.41

≤7.98

2、20絕緣電阻


功能項目

PVC絕緣

PE、XLPE絕緣

20時絕緣電阻MΩ.KM

≥25

≥500

3、電纜應經受工頻交流電壓試驗:2000V/1min絕緣不發生擊穿,試驗溫度為環境溫度。
4、工作電容(1KHZ):線芯與線芯≤90PF/m
5
、分布電容(1KHZ≤0.6μH/m
6
、電磁干擾感應電壓(干擾磁場400A/m≤5mV
7
、靜電感應電壓(靜電電壓20KV)<1V
8
、輻射場透入強度(干擾場強120dBμV,干擾場頻率200MHZ≤dBμV

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