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CLBO: CsLiB6O10硼酸鋰銫晶體-瑞研科技
深紫外DUV激光器的關(guān)鍵材料
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
CLBO: CsLiB6O10-硼酸鋰銫晶體-深紫外DUV激光器的關(guān)鍵材料
硼酸銫鋰(CLBO)晶體是一種綜合性能十分優(yōu)良的非線性光學晶體材料,其有效非線性光學系數(shù)是KDP的三倍,激光損傷閡值高,還具有較低的紫外吸收、較小的走離角、較大的溫度帶寬和光譜帶寬,能夠?qū)崿F(xiàn)對Nd:YAG激光晶體1064nm的二倍頻、三倍頻、四倍頻和五倍頻輸出,在紫外激光變頻領(lǐng)域有著的廣闊的應(yīng)用前景。我們通過采用熔體法和添加助熔劑的不同方式研究了硼酸銫鋰晶體的生長。生長實驗表明,不同的熔體體系其粘度和揮發(fā)性差異較大,并隨溫度變化而變化,助熔劑的種類和原料的配比是影響晶體質(zhì)量的重要因素。我們通過選擇助熔劑和優(yōu)化原料配比生長出高質(zhì)量的硼酸銫鋰晶體
紫外線區(qū)的高次諧波發(fā)生器（4HG & 5HG of Nd:YAG, Shortest Type I SHG:237nm）
高損傷閾值（比熔融石英高1.7倍 @266nm）
適用于高功率紫外線應(yīng)用 （d36(532nm)=0.92pm/V）
硼酸鋰銫晶體
與BBO（偏硼酸鋇晶體）相比的優(yōu)勢
轉(zhuǎn)換效率高
寬光譜范圍180～2750nm
特別適合深紫外DUV的生成
特點：
短波截止到180nm
大角度公差
離散較小
大功率不飽和
應(yīng)用
機加工
半導體檢查
生物醫(yī)療
紫外激光雷達
基本參數(shù)
與BBP對比
Wavelength (nm) | NLO Crystal | Phase Matching Angle (deg) | deff (pm/V) | Angle Tolerance (mrad - cm) | Walk-off Angle (deg) |
1064+532 = 355 | CLBO | 48.9 | 0.71 | 0.92 | 2.11 |
BBO | 34.6 | 2.01 | 0.24 | 4.47 | |
532+532 = 266 | CLBO | 62.0 | 0.79 | 0.55 | 1.84 |
BBO | 47.7 | 1.75 | 0.19 | 4.89 | |
1064+266 = 213 | CLBO | 68.3 | 0.95 | 0.48 | 1.66 |
BBO | 51.1 | 1.95 | 0.13 | 5.51
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