成型外殼內(nèi)的磁致伸縮位移傳感器

巴魯夫 BTL6-A301-M0850-A1-S115 位移,位移
巴魯夫 BTL6-A301-M0850-A1-S115 位移

本公司代理德國(guó)巴魯夫全,電渦流式位移傳感器,系產(chǎn)品,歡迎尋價(jià)合作！
我們化的網(wǎng)絡(luò)機(jī)構(gòu)使得我們和客戶更近，反向散射耦合是雷達(dá)原理模型，讀寫器發(fā)射出UHF或微波信號(hào)，這些信號(hào)碰到目標(biāo)后反射，同時(shí)攜帶回目標(biāo)信息，依據(jù)的是電磁波的空間傳播規(guī)律，識(shí)別作用距離大于lm。,有源或半無源RFID標(biāo)簽可以提供有價(jià)值的傳感器信息，另一方面，與無源標(biāo)簽匹配的讀寫器的價(jià)格并不便宜，而半無源標(biāo)簽非常昂貴，且使用壽命有限。,這使得它們便宜、耐用、無噪音(在無線電頻譜中)。由于缺乏*的數(shù)據(jù)，它們不能用于編寫和存儲(chǔ)傳感器數(shù)據(jù)。,在評(píng)估RFID作為資產(chǎn)跟蹤技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)之前，需要澄清“跟蹤”的含義。,它們通過吸收讀寫器信號(hào)中的一些信息來作出反應(yīng)。,這兩個(gè)部分之間通信的特定方式(稱為“耦合機(jī)制”)決定了系統(tǒng)的覆蓋范圍、復(fù)雜性和成本。(這里的“耦合”指的是標(biāo)簽和讀寫器之間的信息傳輸)目前，市場(chǎng)上存在三種耦合機(jī)制:電感耦合、電容耦合和反向散射耦合。。交貨期更短，更可滿足您的特別要求。我們的產(chǎn)品包括如下：
接口模擬，電壓
測(cè)量長(zhǎng)度50...7620 mm
重復(fù)精度± 10 µm
工作電壓Ub10...30 VDC
巴魯夫 BTL6-A301-M0850-A1-S115 位移,位移
巴魯夫 BTL6-A301-M0850-A1-S115 位移


電位器式位移傳感器,位移
巴魯夫 BTL6-A301-M0850-A1-S115 位移模擬輸出端 模擬，電流 接近時(shí)電流下降
線性偏差，大 ,位移, ,位移傳感器, ±45 µm
位移
尺寸 Ø 12 x 65 mm
安裝 ,位移, 齊平
位移
巴魯夫 BTL6-A301-M0850-A1-S115 位移1，目標(biāo)檢測(cè)系列（接近開關(guān)、磁敏開關(guān)、電容開關(guān)、壓力開關(guān)、光電開關(guān)、行程開關(guān)、限位開關(guān)等）。
2，線性位置檢測(cè)系列 （感應(yīng)式線,線性傳感器,性位移傳感器、感應(yīng)式測(cè)距傳感器、磁感應(yīng)式位移傳感器、光電測(cè)距傳感器等）。
電容式位移傳感器
3，工業(yè)識(shí)別系列（BIS L、C、M、S、視覺傳感器）。
4，工業(yè)網(wǎng)絡(luò)及連,位移,接（分線盒、總線模塊、與無源標(biāo)簽和半無源標(biāo)簽相比，有源標(biāo)記具有更大識(shí)別的范圍(可達(dá)1公里)，內(nèi)存容量、大小和成本也會(huì)增加，并且可以與性能較弱的讀寫器一起工作。,有源標(biāo)簽有一個(gè)本地電源(例如電池，光電)，并可廣播自己的信號(hào)。,RFID從一開始就被用于某種電子表格意義上的資產(chǎn)跟蹤。它使識(shí)別和記錄附近的跟蹤項(xiàng)目變得很簡(jiǎn)單。,隨著電感電路的萎縮，有限的電容系統(tǒng)的市場(chǎng)也在萎縮。,RFID標(biāo)簽類型。IO-Link等）。
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巴魯夫 BTL6-A301-M0850-A1-S115 位移

巴魯夫 BTL6-A301-M0850-A1-S115 位移
              
主營(yíng)德國(guó)進(jìn)口備件:巴魯夫，圖爾克，易福門，
                 
                  SICK,  杰佛倫 美國(guó)邦納，
                 
                   FIAMA 倍加福（P+F），皮爾茲 等
型號(hào)
BES M12MI-PSC40B-S04G
BES 516-3005-G-E4-C-S49-00,3
BES M18MI-PSC80A-S04G-W12
BES M18MI-PSC80A-S04G-W12
BES M18MI-PSC80A-S04G-W12
BTL-P-1014-2R
BTL-P-1014-2R
ALTR4-5/4NA-TZ12
GX-F8A
BTL5-F-2814-1S
BES M08MI-PSC20B-S49G
BES M08MI-PSC20B-S49G
BES M12MI-PSC20B-S04G
BES 516-3005-G-E4-C-PU-02
BES 516-325-E5-C-S4
BES 516-325-G-E4-C-S4-00,5
BES 516-325-G-E4-C-S4-00,5
BES 516-325-G-E5-C-S4
BES 516-325-G-E5-C-S4
BES 516-325-G-S4-C
BES 516-325-S4-C
BES 516-325-S4-C
BES 516-347-MO-C-S4-00,2
 

成型外殼內(nèi)的磁致伸縮位移傳感器