油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射550±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射480±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射440±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射420±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射400±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射820±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射800±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射760±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn),發(fā)射820±10nm 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn),發(fā)射800±10nm 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)/發(fā)射760±10nm 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射720±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射640±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性羧基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射820±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性羧基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射800±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性羧基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射760±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性羧基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射720±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性羧基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射680±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性羧基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射640±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射820±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射800±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為40%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射760±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射720±10nm) 參考價(jià):面議
本公司目前可提供四類(lèi)水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)