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油溶性鈣鈦礦量子點(發射520±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發射500±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發射480±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發射460±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發射440±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發射420±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發射400±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應避免陽光直射,4度...油溶性InP/ZnS量子點(發射750±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為60%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發射700±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為60%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發射650±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為60%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發射620±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為60%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發射600±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為60%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發射580±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為60%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發射550±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為60%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發射520±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為60%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發射480±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為60%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗...油溶性ZnSe/ZnS 量子點(發射440±10nm) 參考價:面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點產品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為80%,儲存時應避免陽光直射,4度密...油溶性ZnSe/ZnS 量子點(發射420±10nm) 參考價:面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點產品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為80%,儲存時應避免陽光直射,4度密...油溶性ZnSe/ZnS 量子點(發射400±10nm) 參考價:面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點產品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為80%,儲存時應避免陽光直射,4度密...水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(發射820±10nm) 參考價:面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點:(1)表面為負電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優良,...水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(發射800±10nm) 參考價:面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點:(1)表面為負電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優良,...水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(發射760±10nm) 參考價:面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點:(1)表面為負電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點,發射820±10nm 參考價:面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點:(1)表面為負電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點,發射800±10nm 參考價:面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點:(1)表面為負電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優良,...