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賽默飛Exactive GC Orbitrap GC-MS系統
產地類別 | 進口 | 價格區間 | 面議 |
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應用領域 | 綜合 |
PHI X-tool 飛行時間二次離子質譜儀
一束高能初級離子轟擊樣品表面激發出原子和分子碎片
只一小部分激發出的粒子以離子的狀態離開表面,被質量分析器探測出來
對于無機材料, 原子離子百分含量> 10%
產品介紹:
一束高能初級離子轟擊樣品表面激發出原子和分子碎片
只一小部分激發出的粒子以離子的狀態離開表面,被質量分析器探測出來
對于無機材料, 原子離子百分含量> 10%
Excitation Process激發過程
離子產生和表面靈敏度
一束高能初級離子轟擊樣品表面激發出原子和分子碎片
只一小部分激發出的粒子以離子的狀態離開表面,被質量分析器探測出來
對于無機材料, 原子離子百分含量> 10%
對于有機材料,原子和分子離子碎片百分含量可以從 .001% 到 1%
只從表面2個分子層激發出的粒子可以以離子態離開表面
TOF-SIMS 主要功能
采集離子質譜圖用于表面元素(原子離子),同位素,分子化學結構(通過分子離子碎片)的表征
點或面掃描(2D成像)得到成分分布像,觀察不同成分在同一條線或面的分布情況
深度剖析和3D成像可以分析不同的膜層結構和成分深度分布信息:多層膜層結構表征,成分摻雜深度,擴散,吸附等表征
應用實例:
所有元素探測– H, He, Li, etc. (H~U)
同位素的探測 – 2H, 3H, He, Li, 18O, 13C, etc.
詳細的分子信息 – 有機和無機
分子成像
平行探測–圖像中每一像素點都有對應的全質譜
表面靈敏 – 樣品表面 1-3 個原子 /分子層
痕量分析靈敏度高 – 0.1 到 1 ppm 原子濃度
快速數據采集 – 通常 1 – 15 分鐘 (表面 IMS)
高空間分辨率
< 70 nm (成像模式下)
< 0.5 µm (保持較好質量分辨率下)
表面物理形貌信息
離子擊發出的 SEI (二次電子像) < 60 nm
大的立體接收角 ~ 180o
可分析所有材料 – 導體,半導體和絕緣材料
技術參數:
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