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SIMOX高溫E+E壓力傳感器的技術研究
高溫E+E壓力傳感器是指其工作溫度高于125℃的E+E壓力傳感器。高溫E+E壓力傳感器以其優良的高溫工作能力在E+E壓力傳感器中一直受到高度重視，是傳感器研究 的重要領域之一，也是各國政府所努力掌握的高技術之一。

SIMOX高溫E+E壓力傳感器的技術研究
在社會的眾多領域中,E+E壓力傳感器都起到了很重要的作用。根據相關資料得知,E+E壓力傳感器的種類很多,其中在硅質材料上完成的占大多數。傳感器是基于MEMS工藝,在單晶硅上制作四個納米高溫電阻,由四個電阻按規則排列構成惠斯通電橋的結構,進而形成納米高溫薄膜E+E壓力傳感器。當施加壓力在硅膜表面時,惠斯通電橋中的兩個高溫電阻增大,其余的兩個高溫電阻減小,因而使橋路失去平衡,電橋的兩端就有電壓輸出,zui后將力學信號轉化為電壓信號。分別介紹了E+E壓力傳感器、納米高溫E+E壓力傳感器的工作原理、基本結構、模數轉換電路的模擬仿真和制作,程序的設計實現。對納米高溫E+E壓力傳感器的電流-電壓特性、靜態特性、溫度特性進行了分析。同時也利用軟件對設計的檢測信號電路、模數轉換電路、控制及顯示電路、電源電路進行模擬仿真,在此基礎上制造了模數轉換電路。設計的高溫E+E壓力傳感器利用納米高溫電阻做為壓敏電阻,在一定程度上克服了高溫E+E壓力傳感器信號難以測量的缺點,增強了傳感器的穩定性。制造的模數轉換電路經實驗表明達到了設計要求.研究以SIMOX(Seperated by Ion lmplant Oxide)片制造高溫E+E壓力傳感器，進行了傳感器的芯片設計、結構設計及工藝設計研究。采用半導體平面工藝制作E+E壓力傳感器的芯片，芯片采用各向異性腐蝕工藝進行加工，芯片與固支環之間采用靜電封接工藝封裝在一起，然后用金漿燒結在可伐合金基座上，制成耐高溫E+E壓力傳感器。傳感器芯片采用方型膜片，在平面工藝中，提出了各向異性腐蝕工藝來提 高電阻條加工精度，對芯片采用KOH溶液進行刻蝕，提出了三種提高膜厚*性的方法，對研制的產品進行了耐高溫沖擊，耐高低溫性能測試及溫漂補償。

SIMOX高溫E+E壓力傳感器的技術研究
傳感器熱靈敏度溫漂及熱零點溫漂具有良好的線性，且斜率基本*，便于進行補償。研制出的SIMOX高溫E+E壓力傳感器具有結構簡單、與半導體工藝兼容、適用于大批量生產等特點。經過測試，傳感器量程為0-1MPa精度為0.5％。工作溫度為-65℃- 250℃，功耗≤8mW，滿量程輸出≥60mV，供電2mA，外形尺寸小于Φ19 × 30，具有耐瞬時1000℃溫度沖擊能力。