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2016-11-15 閱讀(1235)
OMAL歐瑪爾軟開關(guān)技術(shù)的逆變電路的研究
逆變技術(shù)隨著自動控制理論、電力電子技術(shù)、電子計算機、微電子學(xué)等的發(fā)展已經(jīng)進入了一個新的時代，其應(yīng)用也相應(yīng)地進入了一個新的高潮。這主要表現(xiàn)在逆變器朝著高頻化方向發(fā)展，因為隨著開關(guān)頻率的提高，逆變器的輸出電流波形中的諧波成分大量減小，電流波形會更接近理想波形，但逆變器的高頻化必須解決開關(guān)損耗的問題。因為開關(guān)損耗隨開關(guān)頻率的提高而急速增加，感性關(guān)斷電壓尖峰大，容性開通電流尖峰大，電磁干擾嚴(yán)重等問題日益突出，軟開關(guān)技術(shù)是解決這些問題的重要手段。
OMAL歐瑪爾軟開關(guān)技術(shù)的逆變電路的研究 軟開關(guān)的理論進展非常迅速，軟開關(guān)的控制模式更是五花八門。但軟開關(guān)技術(shù)在逆變技術(shù)中的應(yīng)用研究卻非常不夠，還面臨一些有待進一步改善的問題，針對這些問題本文則著重研究了軟開關(guān)技術(shù)在逆變器中應(yīng)用的總體技術(shù)方案。在此基礎(chǔ)上充分論證了采用輔助二極管極諧振軟開關(guān)逆變電路（ADRPI）來構(gòu)造軟開關(guān)逆變器的總體方案結(jié)構(gòu)。分析了該軟開關(guān)逆變電路的工作原理和工作過程，特別是較深入地探討了ADRPI應(yīng)用中的一些主要問題。在此基礎(chǔ)上本文重點分析了軟開關(guān)的零電壓操作及其工程實現(xiàn)問題，其中一個關(guān)鍵技術(shù)是電路過零檢測技術(shù)。如果不能準(zhǔn)確地檢測出零電壓，則“軟開關(guān)”就無從談起，因此在理論分析的基礎(chǔ)上設(shè)計了專門的零電壓檢測電路。本文的另一個重要研究內(nèi)容是對ADRPI軟開關(guān)逆變器的死區(qū)問題進行了研究分析，軟開關(guān)技術(shù)中的死區(qū)問題幾乎在所有地文獻中都未提及，而死區(qū)又是產(chǎn)生電流畸變地主要因素之一，因此論文對它進行了探討和論證。在對上述軟開關(guān)逆變器主電路及控制方法進行理論分析的基礎(chǔ)上，完成了這種逆變電路的設(shè)計，并進行了系統(tǒng)仿真分析和實驗驗證。
