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JKZC-BMZD01型薄膜介電常數(ε)及損耗測試儀(tgd)

閱讀:20      發布時間:2024-11-12
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JKZC-BMZD01型薄膜介電常數ε)及損耗測試儀tgd)

關鍵詞:介電常數ε),損耗測試儀tgd),品質因數(Q),頻率(f)

JKZC-BMZD01型薄膜介電常數(ε)及損耗測試儀(tgd).jpg

 

     JKZC-BMZD01型薄膜介電常數ε)及損耗測試儀tgd)是目前針對PVDF薄膜材料,是一款真正意義上的絕緣薄膜材料介電常數及介質損耗測試儀。是目前能夠處理的介電常數(ε)和介損(tgd)的圖譜。GB/T1693-2007主要用于測量高壓工業絕緣材料的介質損耗角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經典線路。主要可以測量電容器,互感器,變壓器,各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質損耗( tgd)和電容量( Cx)以,其測量線路采用“正接法"即測量對地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、跟蹤器組成,本電橋特別適應測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgd)及介電常數(ε)。

   JKZC-BMZD01型薄膜介電常數及損耗測試儀是一款針對薄膜測試的專用設備,測試薄膜介電常數及損耗需要特制的夾具,通過軟件可以采集到介損(tgd)及介電常數(ε)器件的介電性能測量與分析,可測試以下參數隨頻率(f)、電平(V)、偏壓(Vi)的變化規律:電容(C)、電感(L)、電阻(R)、電抗(X)、阻抗(Z)、相位角(?)、電導(B)、導納(Y)、損耗(D)、品質因數(Q)等參數,同時計算獲得反應材料介電性能的復介電常數和損耗參數。

 

 


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         薄膜介電常數(ε)             薄膜介損(tgd)圖譜

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三電極結構設計:

微調千分尺:微調千分尺具備0.001mm的調節精度,可精細化調節上下電極之間的距離。

平行板測試電極:下電極固定在底部支撐座,上電極可由微調千分尺調節行程距離。上電極帶有保護電極。

上電極片:上電極標配有2mm球頭電極、φ26.8mm圓片電極和φ38mm圓片電極。可根據樣品大小隨時更換。

鎖緊裝置:當樣品放入上下電極之間后,可調節此鎖緊裝置,固定上下電極的調節行程。防止輕微移動引起的刻度偏差。

嚴格按照ASTM D150國際標準設計,電極表面鍍金處理,導電性能好、抗氧化,使用壽命更長

一、真正的三電極設計

介電夾具基于ASTM D150標準試驗方法,采用三電極法設計。上電極+下電極+保護電極,電極表面鍍金處理,導電性能好、抗氧化。為消除測試連接線阻抗及連接線之間相互耦合對測試的影響,儀器與夾具電極連接采用4端對法。

得益于測試線纜和電極引線的良好屏蔽,屏蔽層直達測試電極,因此獲得更高的校準頻率。

2.校準頻率最高可達100MHz

適配的阻抗分析儀更加豐富,充分利用測試儀器的測試頻率范圍(20Hz-120MHz),以滿足測試樣品對更高頻率的要求。

3.高精度調節行程

適配高精度微調千分尺,可調精度為0.001mm,

上電極可調行程為12mm,并帶有鎖緊裝置,可有效鎖定當前刻度位置,確保測試的穩定性和準確性。

標配26.8/38mm尺寸電極片,可滿足不同尺寸樣品測量,樣品安裝方便、簡單

主要技術參數:

1、測試頻率:DC~100MHz

2、樣品要求:雙面涂覆電極,保持平整、光滑

3、樣品尺寸:2mm≤φ≤60mm,厚度≤10mm

4、電極圓片:無。有效面積:樣品上下涂覆電極垂直重疊部分面積

5、誤差分析:存在邊緣電容,樣品表面凹陷處被導電體填充

6、測試接口:4個SMA母頭

7、上電極:φ2mm球頭電極+φ26.8mm圓片電極+φ38mm圓片電極

8、保護電極:上電極帶保護電極,電極表面鍍金

9、上電極壓力調節:12mm行程調節,用于上電極與樣品良好的電性能接觸

10、帶電極樣品尺寸:2mm≤φ≤60mm,厚度≤10m

11、設計標準:ASTM D150和D2149-97國際標準,GB/T1409-2006國家標準

12、電極結構:兩平行板電極+保護電極,三電極結構

13、電極引線:同軸屏蔽線,消除電磁干擾對測試影響

14、下電極:φ60mm鍍金圓片電極

15、上電極行程調節:12mm行程調節,用于樣品安裝

16、數據存儲:數據庫保存各類實驗數據,同時輸出TXT、XLS、BMP等格式文件,對實驗數據提供豐富的查詢與分析,輸出圖形與數據。

 

 


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北京精科智創科技發展有限公司

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