納米氮化硅(Si3N4)與二硫化鉬MoS2復(fù)合材料
MoS2單層是一種直接帶隙半導(dǎo)體材料,因其具有的光學(xué)、電輸運(yùn)、力學(xué)等物理性質(zhì),引起了國(guó)內(nèi)外研究人員的興趣。單層MoS2具有較高的光致熒光(Photoluminescence)量子效率以及較大的激子束縛能,使得在室溫下實(shí)現(xiàn)基于激子的光電子器件成為可能。單層MoS2激子的發(fā)光性質(zhì)不取決于其能帶結(jié)構(gòu),還和載流子濃度有關(guān)。近期已有科研人員利用靜電摻雜、物理吸附、化學(xué)摻雜等手段改變MoS2的發(fā)光性質(zhì),但是遇到了摻雜不易調(diào)控、效率不高等問(wèn)題。同時(shí),其原子的厚度(~0.65nm)了光與激子的相互作用,使得單層MoS2的發(fā)光以及吸收性質(zhì)較弱。
納米氮化硅(Si3N4)與二硫化鉬MoS2復(fù)合材料
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