Nb∶SrTiO3單晶基片上外延生長(zhǎng)BaTiO3薄膜

西安齊岳生物科技有限公司提供或者國(guó)產(chǎn)的薄膜、單晶、多晶體薄膜，尺寸可定制；基底的薄膜；高；有關(guān)資料歡迎咨詢。同時(shí)提供二維材料；石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長(zhǎng)的薄膜、晶體、異質(zhì)結(jié)、薄膜（藍(lán)寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底等基底）等材料。

 采用脈沖激光沉積法(PLD),在摻鈮的鈦酸鍶單晶基片(Nb:SrTiO3,NSTO)上外延生長(zhǎng)了15 nm厚度的BTO薄膜.并采用X射線衍射(XRD),原子力顯微鏡(AFM),高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)等,分別測(cè)試了BTO薄膜的晶相結(jié)構(gòu)和微觀形貌與結(jié)構(gòu),了薄膜的外延生長(zhǎng)特征.以磁控濺射法制備金屬鉑(Pt)上電極,在室溫下測(cè)試了BTO薄膜的電流-電壓(I-V)曲線.通過(guò)擬合I-V曲線,結(jié)果表明:在正向電壓下,薄膜的漏電流符合空間電荷受限電流機(jī)制(SCLC);在反向電壓下,漏電流先為普爾-弗倫克爾發(fā)射機(jī)制(Poole-Frenkel emission),隨著反向電壓的升高,轉(zhuǎn)變?yōu)楦＠?諾德海姆隧穿機(jī)制(Fowler-Nordheim tunneling).分析指出,在Pt/BTO界面存在一個(gè)可變的肖特基勢(shì)壘,該勢(shì)壘受到BTO薄膜內(nèi)部遷移的氧空位影響,從而決定了上述漏電流機(jī)制.

產(chǎn)品列表：

硅片上的金剛石氮化鋁薄膜
Si上鍍Al薄膜（Aluminum Film on Silicon Wafer）
Si-Al復(fù)合薄膜
Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")：
Si襯底上AlN外延薄膜
Si+SiO2+Cr+Au薄膜：
(Au,Si)/SiO2復(fù)合納米顆粒薄膜
Si/SiO2/Cr/Au復(fù)合薄膜
AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜
Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜N型不摻雜
Nb：SrTiO3+Ba1-xSrxTiO3薄膜
Ba1-xTiO3型薄膜  400nm
摻鈮SrTiO3基片 400nm單面拋光薄膜
Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜
Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜 10x10 x 0.5 mm
SrTiO3襯底上BiFeO3薄膜
Nb∶SrTiO3單晶基片上外延生長(zhǎng)BaTiO3薄膜
Fe3O4/BiFeO3復(fù)合薄膜
Si+SiO2+Ta+Cu薄膜
Si/SiO2/Ta/Cu薄膜
Cu/Ta/SiO2/Si薄膜
Si襯底上Ta-N/Cu薄膜
Si+SiO2+Ti+Au薄膜
Si/SiO2/Cr/Au/Ti 襯底薄膜
鍍金硅片鍍鉑硅片ptPt/Ti/SiO2/Si
Si+GaN薄膜：
別稱：Si 晶圓外延 Gan 薄膜 (si + Gan 薄膜)
Si襯底上GaN薄膜
Si基GaN薄膜
Si+Cu薄膜:
多孔Si/Cu復(fù)合薄膜
Si上鍍Cu薄膜
Si基上電沉積Cu薄膜
YSZ+CeO2薄膜 30-50nm
CeO2/YSZ復(fù)合薄膜 30-50nm
CeO2/YSZ薄膜
Si+BN薄膜
Si/BN硅基氮化硼薄膜
單層氮化硼薄膜Si基底 CAS號(hào)7440-42-8
Si摻雜的c-BN薄膜
Si上的Cu外延膜
SiBN復(fù)合薄膜
FTO膜
Glass+FTO薄膜
玻璃板上涂氟氧化錫（FTO）
鍺(GOI)薄膜
體上鍺(GOI)薄膜
薄Si過(guò)渡層制備體上Ge(GOI)材料
GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
GaAs （半）（100）晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜
GaAs/AlGaAs/GaAs薄膜
GaAs/AIGaAs壓阻薄膜
GaN系列薄膜
氮化鎵GaN/藍(lán)寶石復(fù)合襯底上蒸鍍金屬鎳(Ni)薄膜
GaN 薄膜基片
GaN外延薄膜
Ga2O3-ß膜
AL2O3+Ga2O3-ß薄膜

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