LaAlO3/SrTiO3鈣鈦礦結構氧化物薄膜 尺寸

西安齊岳生物供應一系列的導電薄膜產品列表：

LaAlO3+SrTiO3薄膜
LaAlO3/SrTiO3鈣鈦礦結構氧化物薄膜
SrTiO3/LaAlO3/SrTiO3(001)異質結
SrTiO3(001)襯底上外延制備10晶胞層厚度的LaAlO3薄膜
Al2O3+YBCO薄膜10x10x0.5 mm
Al2O3+YBCO薄膜10x5x0.5 mm
Al2O3+YBCO薄膜3" dia.x0.5 mm
Al2O3/YBCO功能外延薄膜
YBCO/CeO2/Al2O3雙面導外延薄膜
YIG單晶外延薄膜GGG襯底
釔鐵石榴石YIG外延薄膜GGG襯底
釔鐵石榴石（Yttrium Iron Garnet）在GGG襯底外延薄膜
Al2O3+ZnO薄膜
Al2O3/ZnO薄膜
CVD生長ZnO/GaN/Al2O3薄膜
Al2O3襯底上外延生長ZnO薄膜

4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型
4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型（4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC, P type)
p型4H-SiC單晶
4H-SiC同質外延薄膜
4H-SiC材料p型摻雜材料
SiC 3C薄膜
PECVD生長3C結構SiC外延薄膜
3C-SiC（100）薄膜
Si+SiO2薄膜
Si/SiO2薄膜
Si襯底SiO2薄膜
Si/SiO2/Ta/Cu薄膜
常規厚度300nmSiO2
 

LaAlO3/SrTiO3鈣鈦礦結構氧化物薄膜 尺寸

產品描述：

采用脈沖激光沉積(PLD),在TiO_2終止面的SrTiO_3(001)和斜切20°的SrTiO_3(001)基底上外延生長了鈣鈦礦氧化物LaAlO_3/SrTiO_3界面,研究了不同光波段下界面的光電性質,同時探究了電場、光場和磁場等外場對界面材料物理性質的影響,取得了以下結果:1、外延生長了不同厚度的LaAlO_3/SrTiO_3異質結界面樣品,觀察到了導電型LaAlO_3/SrTiO_3界面電阻的溫度變化性質,利用后續氧退火工藝實現了界面樣品由金屬性導電向性質的轉變,證明了界面材料的導電性主要來源于基底SrTiO_3(001)中的氧空位。進一步研究表明在溫度170K以下氧空位不能產生界面中的磁性,而基底SrTiO_3中Ti3d(t2g)態的自旋極化對界面的鐵磁性質起到了決定性作用。2、外延生長了不同厚度導電型LaAlO_3/SrTiO_3界面樣品,觀察到了界面的太陽光光電導開關性質,得到了不同光功率下界面樣品的光電導變化趨勢,證明了界面的光電導性質是由光激發產生的。3、外延生長了10個原胞層厚度的LaAlO_3/SrTiO_3傾角界面樣品,觀察到了傾角LaAlO_3/SrTiO_3界面的深紫外瞬態光生伏*應,證明了界面中的光伏效應主要來源于光激發和傾角結構,但氧空位和缺陷對界面的光伏效應具有重要影響。進一步研究表明光電壓峰值隨著位置的移動存在變化,大相對變化率245%。4、外延生長7個原胞層厚度的LaAlO_3/SrTiO_3界面樣品,觀察到了導電型LaAlO_3/SrTiO_3界面樣品具有紅外光譜響應度,在低溫110 K下可利用磁場其中紅外光譜響應度并出現飽和。闡明了界面中存在的自旋軌道耦合效應是界面中紅外光譜響應的主要來源。通過進一步研究表明,光譜響應度轉變現象與SrTiO_3基片的結構相變有關。同時,利用二維紅外相關光譜分析法發現了界面中還存在其他次能級結構,證明了低溫下界面中的自旋軌道耦合效應對界面中紅外光譜響應起到了決定性的作用。5、外延生長了不同厚度的LaAlO_3/SrTiO_3界面樣品,發現了導電型LaAlO_3/SrTiO_3界面樣品對太赫茲波具有強反射現象,同時界面中極化強度的變化可被太赫茲波分辨。進一步研究表明太赫茲波可以檢測極化強度有變化的樣品,實現了太赫茲波在納米尺度上的分辨。

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溫馨提示：用于科研哦！（zhn2020.05.19）