InP襯底上InAlAs薄膜/GaAs襯底InGaP薄膜
西安齊岳生物供應一系列的導電薄膜：Si基改性Ge薄膜
硅基底石墨烯膜1cm*1cm
硅基底石墨烯膜5cm*5cm
雙層石墨烯膜2cm*2cm
康寧7980玻璃上鍍ITO膜10x10x0.7mm
康寧7980上鍍ito膜(ito film on corning 7980)
InP上鍍InAlAs薄膜 摻Fe半型材料 300nm
在InP襯底上生長InAlAs/InGaAs等異質結構
InP襯底上InAlAs薄膜
InP襯底上生長InAlAs薄膜
InAlAs-InGaAs-InP
InP上鍍InGaAs薄膜 半型材料
GaAs InGaP薄膜
GaAs襯底InGaP薄膜
金屬襯底InGaP/GaAs雙結薄膜
InGaP/GaAs/InGaAs三結薄膜
InGaP/GaAs微結構材料
GaAs襯底成功制備了InGaP外延薄膜
InGaP/GaAs異質結
ITO+ZnO鈉鈣玻璃
ITO/ZnO復合材料
納米ZnO/ITO導電玻璃復合材料
ITO= 100nm，ZnO= 50nm
ITO導電玻璃襯底上沉積出透明致密ZnO薄膜
La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3復合材料
La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3復合材料
InP襯底上InAlAs薄膜/GaAs襯底InGaP薄膜
產品描述：
產品名稱： | InP上鍍InGaAs薄膜(Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn) |
常規尺寸： | dia 2" ;單拋 |
標準包裝： 參數： | 1000級凈室100級凈袋真空包裝或單片盒裝 |
InP晶向： | <100>±0.5°with one flat |
InP摻雜類型： | 不摻雜 |
InP尺寸： | dia 2inch x 0.35mm ±25um |
Nc： | < 1E16/cc |
EPD: | <1E4 |
薄膜參數: | In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc. |
薄膜厚度： | 1.0 um (+/- 5%) |
拋光情況： | 單拋 |
表面粗擦度： | Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML)
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以上資料源于西安齊岳生物科技有限公司
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溫馨提示：用于科研哦！（zhn2020.05.19）
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