Si+GaN、Si+Cu、Si+BN硅基氮化硼外延薄膜
西安齊岳生物供應一系列的導電薄膜：Si+GaN薄膜：
別稱：Si 晶圓外延 Gan 薄膜 (si + Gan 薄膜)
Si襯底上GaN薄膜
Si基GaN薄膜
Si+Cu薄膜:
多孔Si/Cu復合薄膜
Si上鍍Cu薄膜
Si基上電沉積Cu薄膜
YSZ+CeO2薄膜 30-50nm
CeO2/YSZ復合薄膜 30-50nm
CeO2/YSZ薄膜
Si+BN薄膜
Si/BN硅基氮化硼薄膜
單層氮化硼薄膜Si基底 CAS號7440-42-8
Si摻雜的c-BN薄膜
Si上的Cu外延膜
SiBN復合薄膜
FTO膜
Glass+FTO薄膜
玻璃板上涂氟氧化錫（FTO）
鍺(GOI)薄膜
體上鍺(GOI)薄膜
薄Si過渡層制備體上Ge(GOI)材料
GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
GaAs （半）（100）晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜
GaAs/AlGaAs/GaAs薄膜
GaAs/AIGaAs壓阻薄膜（常規尺寸10x10x0.5mm；注：可以按照客戶要求加工）。
Si+GaN、Si+Cu、Si+BN硅基氮化硼外延薄膜
GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等，能夠滿足現代電子對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對的高發展和國防建設具有重要意義。由于缺乏的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質襯底上外延生長。因具有大尺寸、及易于集成等優點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產業界高度關注的熱點領域。
目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現GaN器件和Si器件的集成關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今上還未能實現標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。
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溫馨提示：用于科研哦?。▃hn2020.05.19）
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