Si+SiO2+TiO2+Pt+Ni+Ti+Au+SiC外延薄膜
西安齊岳生物科技有限公司提供A-Z系列或者國產的薄膜、單晶、多晶體薄膜，尺寸可定制；基底的薄膜；高；有關資料歡迎咨詢。同時提供二維材料；石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長的薄膜、晶體、異質結、薄膜（藍寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底等基底）等材料。
Si+SiO2+TiO2+Pt+Ni+Ti+Au+SiC外延薄膜
用熱壁CVD法在6H-SiC襯底上生長了SiCGe三元合金,樣品生長呈現出的島狀特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段對薄膜進行了性質研究.發現樣品包含兩種特征相,由隨機分布的球形島和島周圍較平坦的背景區域組成.EDS結果表明兩相組分不同:球形島為高Ge區,組分比大于30%;背景區域Ge含量則低于1%.兩種相的生長速率也不相同,在生長時間相同的情況下,背景區較薄,且滿布三角形堆垛層錯.樣品的PL峰位于2.2和2.7eV處.分析認為,這兩個峰分別來自球形島和背景區域的帶間輻射復合.
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