AgTaS3、Bi4Pb7Se13、In3SbTe2晶體 薄膜
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AgTaS3晶體
材料名稱 Name | AgTaS3 |
性質(zhì)分類 Electrical properties | 拓撲體 Topological Insulators |
禁帶寬度 Bangap | 0 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
晶體結(jié)構(gòu) Crystal Structure | monoclinic |
剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation | 易 Easy |
AgTaS3、Bi4Pb7Se13、In3SbTe2晶體 薄膜
產(chǎn)品列表：
| CVD TMDC晶體： | >10平方毫米 | 拓撲材料,半導體,紅外材料 |
| AgTaS3晶體 | >25平方毫米 | 拓撲材料 |
| Ag3Sb晶體 | >50平方毫米 | 半導體 |
| Ag2Te晶體 | >25平方毫米 | 拓撲材料 |
| Bi4Pb7Se13晶體 | >10平方毫米 | 紅外材料 |
| Cu2Se3晶體 | >25平方毫米 | 拓撲材料 |
| AgInP2S6晶體 | >50平方毫米 | 半導體 |
| AgInP2Se6晶體 | >25平方毫米 | 拓撲材料 |
| Cr2S3晶體 | >25平方毫米 | 紅外材料 |
| CrTe2晶體 | >10平方毫米 | 半導體 |
| CuBi3PbS6晶體 | >25平方毫米 | 拓撲材料 |
| CuInP2Se6晶體 | >50平方毫米 | 紅外材料 |
| CuInS2晶體 | >25平方毫米 | 半導體 |
| GaGeTe晶體 | >25平方毫米 | 拓撲材料 |
| GaPS4晶體 | >10平方毫米 | 紅外材料 |
| GeBi2Te4晶體 | >25平方毫米 | 拓撲材料 |
| GeBi4Te7晶體 | >25平方毫米 | 紅外材料 |
| GeSb4Te7晶體 | >50平方毫米 | 半導體 |
| GeTe晶體 | >10平方毫米 | 拓撲材料 |
| HfS3晶體 | >50平方毫米 | 紅外材料 |
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溫馨提示：用于科研哦！（zhn2020.05.19）
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