Si襯底上Ge薄膜的制備過程（國內廠家定制）

西安齊岳生物科技有限公司提供或者國產的薄膜，尺寸可定制；基底以及外延的薄膜；高；有關資料歡迎咨詢。同時提供二維材料；石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長的薄膜、晶體、異質結、薄膜（藍寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底）等材料。

Si襯底上Ge薄膜制備過程中,利用二者之間的熱失配,可在Ge薄膜層中引入張應力.張應力改性作用下,Ge能帶結構由間接帶隙類型轉化為準直接帶隙或直接帶隙類型,將其應用于光子器件,可器件的發光效率;同時,張應變改性Ge相較于Ge半導體,載流子遷移率更高,還可將其應用于電子器件.Si基改性Ge薄膜不具有的光電性質,還兼具Si襯底的特點,具有應用潛力.然而,由于Si與Ge之間存在4.2%的晶格失配,直接在Si襯底上生長改性Ge薄膜將會產生較大的缺陷,從而影響改性Ge光電器件的性能.因此,如何在Si襯底上生長的改性Ge薄膜已成為領域內研究的熱點和.為此,搭建了Si基改性Ge薄膜RPCVD生長系統,為Si基改性Ge薄膜的生長奠定了的物質基礎.基于RPCVD碰撞與吸附理論,進一步建立了Si基改性Ge薄膜的生長動力學模型,為制定Si基改性Ge薄膜RPCVD工藝制度提供了理論依據.針對Si基改性Ge薄膜位錯密度與應力表征方面存在的問題,提出了適用于改性Ge的位錯密度表征方法,建立了拉曼譜與應力的理論關系模型,完善了相關表征.通過以上研究,為的Si基改性Ge薄膜的生長奠定了的基礎.基于所搭建RPCVD薄膜生長系統,采用低溫-高溫兩步法工藝,在Si襯底上生長了改性Ge薄膜.

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