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| 供貨周期 | 兩周 | 應用領域 | 環保,化工,電子 |
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光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體
光折變效應是局部折射率通過光強度的空間變化而改變的現象。當形成空間變化的照明圖案的光折射材料中，相干光彼此干涉時，可強烈觀察到。這是由于漂移或擴散和空間電荷分離效應，在遷移材料中產生電荷載流子。產生的所產生的電場通過電光效應引起折射率變化。其中一些應用是空間光調制器，4波混頻，相位共軛，光存儲器和計算。
Sillenite單晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）顯示了不同物理性質的組合。BSO和BGO晶體是非常有效的光電導體，具有低暗電導率，允許建立大的光誘導空間電荷。光電導性和光電特性的強烈光譜依賴性允許開發和生產各種各樣的光學器件和系統。BSO和BGO晶體用于空間光調制器，動態實時全息記錄設備，相位共軛波混合，光學相關器和光學激光系統，用于超短光脈沖的自適應校正。光誘導吸收使其有可能開發和生產“光 - 光"型光學器件，如光學調制器，開關等。 通過不同技術制造氧化亞錫薄膜晶體結構允許開發包括光學波導，集成光學器件的多種裝置。基于Sillenites的波導光學結構的使用允許在寬光譜范圍內實現均勻照射（通常到波導平面）。
BGO SBN
Sillenite Oxides的相對較大的電光和法拉第效應使其可用于光纖電/磁場傳感器。我們能夠少量提供未摻雜的BSO和BGO晶體用于科學研究，并大量用于工業目的。隨著2x2x2 - 25x25x25 mm3晶體，我們還提供帶有ITO（氧化銦錫）涂層的孔徑高達30x30 mm2，厚度為0.5 - 5 mm的晶體板。
鍶鋇鈮酸鹽（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一種優異的光學和光折變材料。名義上純，由Ce，Cr，Co，Fe摻雜。不同組成的SBN晶體用于電光學，聲光學和光折變非線性光學器件。一種新的生長技術提供了優異的光學質量單晶，沒有生長條紋，夾雜物和其他不均勻性，以及高達80mm的確定橫截面和線性尺寸。SBN晶體元件滿足不同應用的要求。基于這種的晶體生長技術，可以使用大量高質量的SBN光學元件和光折變單元，Fe：LiNbO3（其他摻雜劑可用）。
鐵摻雜鈮酸鋰晶體（Fe：LiNbO3）是一種常用的具有高電光（EO）系數，高光折變靈敏度和衍射效率的光折變材料。與BaTiO3系列光折變晶體相比，它具有易于操作和存儲，成本低，尺寸利用率大等突出優點，使其更適用于批量制造和實用設備。因此，Fe：LiNbO3晶體將預測廣泛的應用。MolTech提供具有不同Fe摻雜濃度，尺寸和光學處理要求的晶體。
光折變晶體SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體
光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體
| 晶體 | Bi 12 SiO 20（BSO） | Bi 12 GeO 20（BGO） | Fe：LiNbO 3 | SBN x = 0.60 | SBN x = 0.75 |
晶體結構 | 立方，點組：23 | 立方，點組：23 | 三角形，3m | 4mm | 4mm |
晶格（胞）參數，? | 10.10 | 10.15 | - | a = 12.46，c = 3.946 | a = 12.43024，c = 3.91341 |
透射范圍，μm | 0.4-6 | 0.4-7 | 0.35 - 5.5 | 0.3 5 - 6.0 | 0.35 - 6.0 |
折射率在0.63μm | 2.54 | 2.55 | 2.20（ne），2.29（no） | n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μm | n e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm |
電光系數r41，pm / V | 5 | 3.5 | r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32 | r 13 = 47，r 33 = 235 | r 13 = 67，r 33 = 1340 |
光學活性，500納米處的deg / mm | 42 | 41.5 | - | - | - |
在600nm處為 - deg / mm | 25 | 24 | - | - | - |
密度，g / cm 3 | 9.15 | 9.2 | 4.64 | 5.4 | 5.4 |
莫氏硬度 | 5 | 5 | 5 | 5.5 | 5.5 |
熔點，C | 890 | 920 | 1255（Tc = 1140） | 1500±10°C | 1500±10°C |
介電常數 | 56 | 40 | 85（e11）30（e33） | 880 | 3400 |
暗電阻，歐姆厘米 | 10 14 | 10 14 | - | - | - |
吸收系數@0.44μm | - | - | - | 0.3cm -1 | - |
在25°C時的熱導率 | - | - | - | 0.006 W / cm * K | |
@ 1370至1470℃下 | - | - | - | - | 0.008 W / cm * K |
熱光系數dn e / dT | - | - | - | 3×10 -4 K -1 | - |
居里溫度 | - | - | - | 75℃ | 56℃ |
半波電壓 | - | - | - | 240伏 | 48 V |
我們可提供棒或薄片，由具有不同橫截面和尺寸的薄膜光折射晶體制成。不同濃度的不同摻雜劑可滿足特定客戶的要求。
光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體
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