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用于超快激光器的鈦藍(lán)寶石晶體HEM與國際高強度激光專家社區(qū)合作,開發(fā)了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石超快激光光學(xué)器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti:Sapphire 激光光學(xué)器件,以支持當(dāng)今的高強度激光設(shè)施。
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Crystal Systems專有的HEM技術(shù)可產(chǎn)生直徑達(dá)220 mm的晶體尺寸的優(yōu)質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)。由HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石晶體制成的超快激光光學(xué)元件的波前值為1/10或更高,F(xiàn)OM值高達(dá)1000。
低損傷HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光材料在Crystal Systems的光學(xué)制造設(shè)施中加工,具有極其緊密的幾何形狀和晶體對準(zhǔn)。晶體質(zhì)量和光學(xué)制造工藝的各個方面都通過專業(yè)測試和測量設(shè)備進行驗證。我們提供有關(guān)HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光光學(xué)器件的激光、光學(xué)和機械屬性的詳細(xì)質(zhì)量報告。
Crystal Systems與國際高強度激光專家社區(qū)合作,開發(fā)了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石超快激光光學(xué)器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti:Sapphire 激光光學(xué)器件,以支持當(dāng)今的高強度激光設(shè)施。
直徑 220 mm
出色的均勻性
熱性能
高效指標(biāo)
無散射
高激光損傷閾值
提供大尺寸和高摻雜材料
532 nm 的 Alpha 值 0.5-8.0/cm
FOM(品質(zhì)因數(shù))與吸收 – HEM® 工藝旨在最大限度地提高 532 nm 處的吸收,并減少 800 nm 處的寄生吸收,從而提供業(yè)內(nèi)最高的 FOM 值。每個晶體系統(tǒng)HEM® Ti:藍(lán)寶石晶體都經(jīng)過實際FOM值測試,這些值是業(yè)內(nèi)最高的(高達(dá)1000)。
HEM Ti:Sapphire 的可調(diào)范圍 – HEM® Ti:sapphire 具有從 650 nm 到 1200 nm 的寬可調(diào)范圍,峰值強度約為 800 nm。材料的寬帶寬允許短脈沖和高重復(fù)率。我們的 Ti:Sapphire 激光光學(xué)器件提供一系列鈦摻雜濃度(0.5 至 8.0 @ alpha 532 nm),允許調(diào)整整體路徑長度設(shè)計,以滿足您的總低功耗單次吸收 (LPSP)。
吸收/熒光 – Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光器通常使用π偏振操作。該圖表顯示了HEM® Ti:Sapphire在π偏振中的吸收和熒光帶。
布魯斯特角激光晶體 – 我們大多數(shù)較小的晶體都用布魯斯特角(Brewster’s Angle )端拋光,以最大限度地減少反射損失。布魯斯特角基于材料的折射率。Ti:Sapphire 的折射率為 ~1.76,從而產(chǎn)生 ~60.4° 的布魯斯特角。我們的C軸旋轉(zhuǎn)精度受到嚴(yán)格控制,以避免激光調(diào)制。
先進的激光拋光和高損傷涂層 – Crystal Systems將先進的拋光技術(shù)應(yīng)用于其高功率激光光學(xué)器件,以產(chǎn)生埃級粗糙度和低次表面損傷。我們進行測試以確保高且可重復(fù)的激光損傷閾值。
防反射鍍膜 – 晶體系統(tǒng)為多通放大器晶體提供先進的增透鍍膜。我們的涂層設(shè)計用于在泵浦和激光波長下提供最大效率。AR涂層在現(xiàn)場成功運行,具有始終如一的高激光損傷閾值結(jié)果,使激光操作員能夠準(zhǔn)確地計算泵浦功率,從而以較低的損壞風(fēng)險大化功率輸出。
高品質(zhì)HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光晶體以的晶體結(jié)構(gòu)和正確的3+價電子態(tài)開始。我們通過多階段、嚴(yán)格的檢測流程,使用先進的測試和測量設(shè)備,確保這些要求。我們測試棒材的吸收值、均勻性、光散射、FOM、平坦度和透射波鋒。每個HEMTi:藍(lán)寶石激光棒都使用先進的設(shè)備和專業(yè)的激光技術(shù)人員進行檢查和驗證。對質(zhì)量和精度的全力關(guān)注保證了我們的激光晶體尺寸、表面和晶體結(jié)構(gòu)為您的激光平臺的高功率水平和出色的光束分布奠定了基礎(chǔ)。® ®
HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石的寬發(fā)射范圍(650 nm 至 1200 nm)、高功率密度泵浦能力以及出色的熱性能使當(dāng)今的高強度激光平臺成為可能。這些設(shè)施正在創(chuàng)造下一代基于激光的應(yīng)用,如質(zhì)子治療、加速器物理、核物理、遠(yuǎn)場物理、紅外光譜和材料表征。Crystal Systems與客戶密切合作,開發(fā)新的晶體設(shè)計,以便超快激光社區(qū)能夠繼續(xù)提高其產(chǎn)品的可靠性和性能。®
以下測試結(jié)果來自Crystal Systems對HEMTi:Sapphire Amplifier Crystals上使用的AR涂層進行的定期測試之一。這些結(jié)果代表了我們的涂層可以預(yù)期的損傷閾值。®
測試類型:激光損傷閾值
基板材料:HEM Ti:藍(lán)寶石
試樣尺寸:直徑 1"
涂層類型:AR
測試波長: 532 nm
入射角:0o
脈沖重復(fù)頻率:10 Hz
極化:線性
測試光束輪廓:透射電鏡脈沖寬度(FWHM):10 ns 軸向模式:多S
凹坑直徑: 570 μm
site數(shù): 80
測試方法:激光損傷頻率
曝光持續(xù)時間:200shots/site
損傷定義:等離子體,增加的He-Ne散射,使用100X Nomarski明場顯微鏡觀察到的可見損傷。
結(jié)果描述:部分以13.00 Jcm-2照射,10個點未損壞
激光傷害閾值:在 14.16 Jcm-2 峰值通量下計算
測試由Spica Technologies Inc.公司提供。
高度均勻的結(jié)晶 HEM 生長鈦:藍(lán)寶石晶體 |
激光拋光(10-5 或更好的布魯斯特角截面) |
90° |
L/10 平面度@632nm |
精細(xì)研磨 |
L/4 PV @632nm 可最大限度地減少空間變化并最大限度地提高光束質(zhì)量 |
PL (毫米) | LPSP@532nm | 3.0mm x 3.0mm | ~3.50cm-1 | > 200 | ||||||||||
2.9 | ~87% | 1.5mm x 3.0mm | ~5.00cm-1 | > 150 | ||||||||||
4 | ~89% | 2.0mm x 4.0mm | ~1.05cm-1 | > 400 | ||||||||||
20 | ~94% | 5.0mm ? | ~5.00cm-1 | > 150 | ||||||||||
20 | ~94% | 6.2mm ? | ~1.30cm-1 | > 400 | ||||||||||
25.4 | ~92% | 等級 | 拋光類型 | 徑向 | 取向 | 直徑公差 | 平整度 | 外徑表面 | TWE | 鍍膜 | AR鍍膜反射 | 激光損傷閾值測試 | 直徑 | LPSP @532nm |
15 | 8mm ? | ~92% | ||||||||||||
15 | 15mm ? | ~92% | ||||||||||||
20 | 16x 16mm2 | ~92% | ||||||||||||
20 | 25mm ? | ~92% | ||||||||||||
20 | 40mm ? | ~92% |
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