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當前位置:北京亞科晨旭科技有限公司>>薄膜制備>>薄膜沉積CVD>> ALD R-200 ALD R-200PICOSUN原子層沉積系統-高級版

PICOSUN原子層沉積系統-高級版

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具體成交價以合同協議為準

產品型號ALD R-200 ALD R-200

品       牌其他品牌

廠商性質生產商

所  在  地北京市

更新時間:2024-09-25 13:43:50瀏覽次數:1476次

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產地類別 進口 價格區間 100萬-200萬
應用領域 電子,航天
PICOSUN原子層沉積系統ALD R-200高級版;系統適用于數十種應用的研發,例如IC組件,MEMS器件,顯示器,LED,激光和3D對象,例如透鏡,光學器件,珠寶,硬幣和醫療植入物。PICOSUN原子層沉積系統ALD

PICOSUN原子層沉積系統ALD R-200高級版

PICOSUN™ ALD R-200 Advanced

 

名稱:原子層沉積系統   產地:芬蘭

 

Picosun簡介

Picosun是yi家公司,Picosun的總部位于芬蘭的Espoo,其生產設施位于芬蘭的MasalaKirkkonummi)。PICOSUN®ALD設備專為高產量和高產量而設計,并且不斷發展以提高效率。Picosun適應性強其客戶包括  大的電子制造商,小型的創新型挑戰者以及的大學。 Picosun的組織機構和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個客戶的需求。PICOSUN®研發工具具有du特的內置可擴展性,可確保將研究結果平穩過渡到大批量工業制造中,而不會出現技術差距。Picosun的熱情在于創新。當您想與設備制造商共同創建定制的ALD解決方案,從而引ling行業發展時,Picosun是您的合作伙伴。


   PICOSUN™ R系列設備提供高質量ALD薄膜的沉積技術,并在各種各樣的襯底上都表現ji佳的均勻性,包括具挑戰性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的,易更換的前驅源系統,能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度小的薄膜層。在基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個du立的,*分離的源入口匹配多種類型的前驅源。PICOSUN™ R系列du特的擴展性使ALD工藝可以從研究環境直接過渡到生產環境的PICOSUN™ P系列ALD系統。由于研發型與生產型PICOSUN™反應腔室核心設計特點都是相同的,這消除了實驗室與制造車間之間的鴻溝。對大學來說,突破創新的技術轉化到生產中,就會吸引到企業投資。

 

PICOSUN®R-200高級

PICOSUN®R-200 Advanced ALD系統適用于數十種應用的研發,例如IC組件,MEMS器件,顯示器,LED,激光和3D對象,例如透鏡,光學器件,珠寶,硬幣和醫療植入物。

群集工具,Picoflow™擴散增強劑,卷對卷室,RGAUHV兼容性,N2發生器,氣體洗滌器,定制設計,用于惰性裝載的手套箱集成PICOSUN®R-200高級ALD系統是高級ALD研究工具的市場,已有數百個客戶安裝。它已成為創新驅動的公司和研究機構的工具。

敏捷的設計實現了高質量的ALD薄膜沉積以及終的系統靈活性,可以滿足未來的需求和應用。的熱壁設計具有*du立的入口和儀器,可實現無顆粒工藝,適用于晶圓,3D對象和所有納米級特征上的多種材料。得益于我們專有的Picoflow™技術,即使在具挑戰性的通孔,超高長寬比和納米顆粒樣品上也能實現出色的均勻性。 PICOSUN®R-200 Advanced系統配備了功能強大且易于更換的液態,氣態和固態化學品前體源。高效且獲得的遠程等離子選件可實現金屬沉積,而沒有短路或等離子損壞的風險。與手套箱,UHV系統,手動和自動裝載機,集群工具,粉末倉,卷對卷倉以及各種原位分析系統集成在yi起,無論您現在或將來的研究領域如何,都可以高效,靈活地進行研究,并獲得良好的結果稍后。

 

*)等離子發生器技術特點:

遠程血漿源安裝到裝載室并與反應室連

出色性能的適用于不同化學性質的藍寶石涂藥器

商用微波等離子體發生器,具有300 3000 W可調功率,2.45 GHz頻率

保護氣體在中間空間中流動(無等離子體物質的反向擴散)

在相同的沉積過程中,等離子體和熱ALD循環的可能性,而無需對系統進行硬件更改

 

技術指標

 

襯底尺寸和類型

50 – 200 mm /單片

大可沉積直徑150 mm基片,豎直放置,10-25片/批次(根據工藝)

156 mm x 156 mm 太陽能硅片

3D 復雜表面襯底(使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳)

粉末與顆粒(配備擴散增強器)

多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品

工藝溫度

50 – 500 °C, 可選更高溫度(真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C)

基片傳送選件

氣動升降(手動裝載)

預真空室安裝磁力操作機械手(Load lock )

前驅體

液態、固態、氣態、臭氧源

4根du立源管線,多加載6個前驅體源

對蒸汽壓低的前驅體(1mbar~10mbar),用氮氣等載氣導入前驅體瓶內引出

重量

350kg

尺寸( W x H x D))

取決于選件

小146 cm x 146 cm x 84 cm

大189 cm x 206 cm x 111 cm

選件

PICOFLOW™擴散增強器,集成橢偏儀,QCM, RGA,N2發生器,尾氣處理器,定制設計,手套箱集

成(用于惰性氣體下裝載)。

驗收標準

標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝

 

 

應用領域

客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設備在150mm和200mm(6”和8”)晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數據。

 

材料

非均勻性(1σ)

AI2O3 (batch)

0.13%

SiO2 (batch)

0.77%

TiO2

0.28%

HfO2

0.47%

ZnO

0.94%

Ta2O5

1.00%

TiN

1.10%

CeO2

1.52%

Pt

3.41%

 

PICOSUN原子層沉積系統ALD R-200高級版

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