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當(dāng)前位置:泰州巨納新能源有限公司>>工具耗材>>基底>> 二氧化層硅片
產(chǎn)品型號
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地泰州市
更新時間:2024-06-04 13:14:19瀏覽次數(shù):926次
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低維材料在線商城可為客戶訂制不同參數(shù)的二氧化硅氧化片,質(zhì)量優(yōu)良;氧化層厚度、致密性、均勻性和電阻率晶向等參數(shù)均按照國標(biāo)執(zhí)行。
熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下,給過程稱為熱氧化。通常生長熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度,使用濕法或者干法的生長方法。熱氧化物是一種生長的氧化物層。相對于CVD法沉積的氧化物層,它具有較高的均勻性和更高的介電強(qiáng)度。這是一個好的作為絕緣體的介電層。大多數(shù)硅為基礎(chǔ)的設(shè)備中,熱氧化層都扮演著非常重要的角色,以安撫硅片表面。作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。
二氧化層硅片應(yīng)用范圍:
1,刻蝕率測定
2,金屬打線測試
3,金屬晶圓
4,電性絕緣層
產(chǎn)品名稱:4英寸二氧化硅拋光硅片 (SiO2)
生長方式:直拉單晶(CZ) 熱氧化工藝
直徑與公差:100±0.4mm
摻雜類型:N型(摻磷、砷、銻) P型(摻硼)
晶向:<111>\<100>
電阻率:0.001-50(Ω•cm) 可按客戶要求定制
工藝數(shù)據(jù):平整度TIR:<3μm 、 翹曲度TTV: <10μm 、彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆粒度< 10 (for size >0.3μm)
現(xiàn)有規(guī)格:50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm
二氧化層硅片用途介紹:用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導(dǎo)體。
類型 | 1英寸 | 2英寸 | 3英寸 | 4英寸 | 5英寸 | 6英寸 | 8英寸 |
單面拋光片 | 1英寸 | 2英寸 | 3英寸 | 4英寸 | 5英寸 | 6英寸 | 8英寸 |
雙面拋光片 | 可定制 | 2英寸 | 3英寸 | 4英寸 | 5英寸 | 6英寸 | 8英寸 |
二氧化硅片(SiO2) | 不可定制 | 2英寸 | 3英寸 | 4英寸 | 5英寸 | 6英寸 | 可定制 |
切割片、研磨片 | 可定制 | 2英寸 | 3英寸 | 4英寸 | 5英寸 | 6英寸 | 不可定制 |
區(qū)熔本征高阻 不摻雜硅片 | 可定制 | 2英寸 | 3英寸 | 4英寸 | 5英寸 | 6英寸 | 不可定制 |
單晶硅棒 | 1英寸 | 2英寸 | 3英寸 | 4英寸 | 5英寸 | 6英寸 | 不可定制 |
注:本商城提供多系列多規(guī)格的硅片,標(biāo)價僅為一種規(guī)格,如需多種規(guī)格請與客服聯(lián)系。
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