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超高純 ZrS2粉末(1g)純度:99.9999%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結用途:用于生長制備二維晶體材料
高純 ZrSe2粉末(1g)純度:99.9995%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結用途:用于生長制備二維晶體材料
超高純 ZrSe2粉末(1g)純度:99.9999%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結用途:用于生長制備二維晶體材料
高純 ZrTe3粉末(1g)純度:99.9995%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結用途:用于生長制備二維晶體材料
超高純 ZrTe3粉末(1g)純度:99.9999%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結用途:用于生長制備二維晶體材料
高純BiTe粉末(1g)純度:99.9995%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結用途:用于生長制備二維晶體材料低維材料在線提供眾多超高純...
超高純BiTe粉末(1g)純度:99.9999%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結用途:用于生長制備二維晶體材料
高純Ta2NiSe5粉末(1g)純度:99.9995%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結用途:用于生長制備二維晶體材料
超高純Ta2NiSe5粉末(1g)純度:99.9999%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結用途:用于生長制備二維晶體材料
高純Sb2Te3粉末(1g)純度:99.9995%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結用途:用于生長制備二維晶體材料
超高純Sb2Te3 粉末(1g)純度:99.9999%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結用途:用于生長制備二維晶體材料
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