雙極性晶體管（英語：bipolar transistor），全稱雙極性結型晶體管（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極管，是一種具有三個終端的電子器件。我公司是美國仙童中國區總代理，我公司現在有仙童Fairchild雙極性晶體管*，歡迎各位新老客戶前來詢價采購！

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仙童Fairchild雙極性晶體管分類
*，按極性可以分為PNP和NPN兩種，按材料一般可以分為硅管和鍺管，按額定功率分為大功率
和小功率，按封裝可以分為貼片和插件，等等。
車載電子系統中，常用的是小功率硅管，為減小體積多用貼片封裝。
仙童Fairchild雙極性晶體管的基本原理
NPN型仙童Fairchild雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在仙童Fairchild雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。在沒有外加電壓時，發射結N區的電子（這一區域的多數載流子）濃度大于P區的電子濃度，部分電子將擴散到P區。同理，P區的部分空穴也將擴散到N區。這樣，發射結上將形成一個空間電荷區（也成為耗盡層），產生一個內在的電場，其方向由N區指向P區，這個電場將阻礙上述擴散過程的進一步發生，從而達成動態平衡。這時，如果把一個正向電壓施加在發射結上，上述載流子擴散運動和耗盡層中內在電場之間的動態平衡將被打破，這樣會使熱激發電子注入基極區域。在NPN型晶體管里，基區為P型摻雜，這里空穴為多數摻雜物質，因此在這區域電子被稱為“少數載流子”。
從發射極被注入到基極區域的電子，一方面與這里的多數載流子空穴發生復合，另一方面，由于基極區域摻雜程度低、物理尺寸薄，并且集電結處于反向偏置狀態，大部分電子將通過漂移運動抵達集電極區域，形成集電極電流。為了盡量緩解電子在到達集電結之前發生的復合，晶體管的基極區域必須制造得足夠薄，以至于載流子擴散所需的時間短于半導體少數載流子的壽命，同時，基極的厚度必須遠小于電子的擴散長度（diffusion length，參見菲克定律）。在現代的仙童Fairchild雙極性晶體管中，基極區域厚度的典型值為十分之幾微米。需要注意的是，集電極、發射極雖然都是N型摻雜，但是二者摻雜程度、物理屬性并不相同，因此必須將仙童Fairchild雙極性晶體管與兩個相反方向二極管串聯在一起的形式區分開來。
仙童Fairchild雙極性晶體管結構
一個仙童Fairchild雙極性晶體管由三個不同的摻雜半導體區域組成，它們分別是發射極區域、基極區域和集電極區域。這些區域在NPN型晶體管中分別是N型、P型和N型半導體，而在PNP型晶體管中則分別是P型、N型和P型半導體。每一個半導體區域都有一個引腳端接出，通常用字母E、B和C來表示發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。
基極的物理位置在發射極和集電極之間，它由輕摻雜、高電阻率的材料制成。集電極包圍著基極區域，由于集電結反向偏置，電子很難從這里被注入到基極區域，這樣就造成共基極電流增益約等于1，而共射極電流增益取得較大的數值。從右邊這個典型NPN型仙童Fairchild雙極性晶體管的截面簡圖可以看出，集電結的面積大于發射結。此外，發射有相當高的摻雜濃度。
在通常情況下，仙童Fairchild雙極性晶體管的幾個區域在物理性質、幾何尺寸上并不對稱。假設連接在電路中的晶體管位于正向放大區，如果此時將晶體管集電極和發射極在電路中的連接互換，將使晶體管離開正向放大區，進入反向工作區。晶體管的內部結構決定了它適合在正向放大區工作，所以反向工作區的共基極電流增益和共射極電流增益比晶體管位于正向放大區時小得多。這種功能上的不對稱，根本上是緣于發射極和集電極的摻雜程度不同。因此，在NPN型晶體管中，盡管集電極和發射極都為N型摻雜，但是二者的電學性質和功能*不能互換。發射極區域的摻雜程度zui高，集電極區域次之，基極區域摻雜程度zui低。此外，三個區域的物理尺度也有所不同，其中基極區域很薄，并且集電極面積大于發射極面積。由于仙童Fairchild雙極性晶體管具有這樣的物質結構，因此可以為集電結提供一個反向偏置，不過這樣做的前提是這個反向偏置不能過大，以致于晶體管損壞。對發射極進行重摻雜的目的是為了增加發射極電子注入到基極區域的效率，從而實現盡量高的電流增益。
仙童Fairchild雙極性晶體管*
在仙童Fairchild雙極性晶體管的共射極接法里，施加于基極、發射極兩端電壓的微小變化，都會造成發射極和集電極之間的電流發生顯著變化。利用這一性質，可以放大輸入的電流或電壓。把仙童Fairchild雙極性晶體管的基極當做輸入端，集電極當做輸出端，可以利用戴維南定理分析這個二端口網絡。利用等效的原理，可以將仙童Fairchild雙極性晶體管看成是電壓控制的電流源，也可以將其視為電流控制的電壓源。此外，從二端口網絡的左邊看進去，基極處的輸入阻抗減小到基極電阻的，這樣就降低了對前一級電路的負載能力的要求。
NPN型
NPN型晶體管是兩種類型仙童Fairchild雙極性晶體管的其中一種，由兩層N型摻雜區域和介于二者之間的一層P型摻雜半導體（基極）組成。輸入到基極的微小電流將被放大，產生較大的集電極-發射極電流。當NPN型晶體管基極電壓高于發射極電壓，并且集電極電壓高于基極電壓，則晶體管處于正向放大狀態。在這一狀態中，晶體管集電極和發射極之間存在電流。被放大的電流，是發射極注入到基極區域的電子（在基極區域為少數載流子），在電場的推動下漂移到集電極的結果。由于電子遷移率比空穴遷移率更高，因此現在使用的大多數仙童Fairchild雙極性晶體管為NPN型。
NPN型仙童Fairchild雙極性晶體管的電學符號如右圖，基極和發射極之間的箭頭指向發射極。
PNP型
仙童Fairchild雙極性晶體管的另一種類型為PNP型，由兩層P型摻雜區域和介于二者之間的一層N型摻雜半導體組成。流經基極的微小電流可以在發射得到放大。也就是說，當PNP型晶體管的基極電壓低于發射極時，集電極電壓低于基極，晶體管處于正向放大區。
在仙童Fairchild雙極性晶體管電學符號中，基極和發射極之間的箭頭指向電流的方向，這里的電流為電子流動的反方向。與NPN型相反，PNP型晶體管的箭頭從發射極指向基極。