主要技術(shù)特性
Q 值測(cè)量范圍 2 ～ 1023 ，量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差 ≤7％ ± 滿度值的2％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測(cè)量范圍 4.5nH ～ 140mH
電容直接測(cè)量范圍 1 ～ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ～ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％
信號(hào)源頻率覆蓋范圍 100kHz ～ 160MHz
頻率分段（虛擬） 100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性

平板電容器：極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm

電感：

線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH

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