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[供應]gdat-c-高精度介電常數介質損耗測試儀

貨物所在地:北京北京市
產地:北京
更新時間:2024-08-16 21:00:06
有效期:2024年8月16日 -- 2025年2月16日
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產品簡介
介電常數介質損耗試驗儀滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法
詳細介紹


介電常數介質損耗試驗儀滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法


一、介電常數介質損耗試驗儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達到目前高的160MHz。

  主要技術特性  

Q 值測量范圍  2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動換檔或手動換檔  
固有誤差  ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
工作誤差  ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
電感測量范圍                 4.5nH ~ 140mH  
電容直接測量范圍                 1 ~ 200pF  
主電容調節范圍                  18 ~ 220pF  
主電容調節準確度                 100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %  
信號源頻率覆蓋范圍               100kHz ~ 160MHz  
頻率分段 ( 虛擬 )100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz,100-160MHz                              

頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字  

BD916介質損耗測試裝置技術特性 

平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選  
極片間距可調范圍:≥15mm 
2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz) 
4.測微桿分辨率:0.001mm
 
電感:
 
線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

GDAT高頻 Q 表采用了多項技術:

雙掃描技術 - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動調諧搜索功能。 
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過數字按鍵輸入。 
雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧,數碼化電容調諧。 
自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。 
全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。 
DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩定。 
計算機自動修正技術和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低,** Q 讀數值在不同頻率時要加以修正的困惑。 
gdat高頻Q表的創新設計,無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案,它給從事高頻電子設計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業提供了更為方便的檢測工具
,測量值更為精確,測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調諧電容值下檢測器件的品質,無須關注量程和換算單位。 


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