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11
2016年
01月 -
“昨夜北回斗，今朝歲起東”，隨著的2016新年賀詞發出，預示著2015已經離我們遠去。在這過去的一年，儀表行業抓住了政策上的扶持，加大了儀表行業重點項目的發展力度，使得儀表整體發展良好。但在過去的一年中，民眾對于儀表行業理解出現了一些誤區。今天，筆者給大家總結一下。“核霧染”霧霾顯然是2015年監測儀表的重點對象，對于霧霾的成因說法不斷。1月初，有文章稱霧霾石油燃煤排放的放射性鈾粉塵電離大量的空氣分子和粉塵顆粒所致，但是事實是鈾粉塵只有和煤炭資源共生，形成鈾煤。通過燃燒，產生發射型元素，才會產生【查看全文】
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07
2016年
01月 -
企業發展有營就有虧，誰也不能保證一直都是營而不虧。而企業的經營會影響到整個行業的發展情況，在市場的大環境下，我們來看看儀器儀表行業2015年1-10月的經營虧損情況。2015年儀器儀表行業一直處于穩定增長的趨勢，發展態勢良好，但是總有虧損的情況。據統計數據顯示，2015年1-10月儀器儀表行業經營虧損企業有700家，虧損金額33.46億元，同比增長42.45%。這個數據的增長率讓人覺得匪夷所思，不是說儀器儀表行業增長態勢良好嗎?怎么還會有這么大的虧損數據?盡管儀器儀表今年的發展態勢相對良好，但也【查看全文】
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07
2016年
01月 -
2015年是“十二五”規劃的收官之年，作為自動化領域的關鍵行業，儀器儀表在這一年也取得了良好的成績。盡管未發布正式數據，但通過今年1-11月的數據我們仍可以大致推測。回看“十二五”規劃，儀器儀表行業在做出巨大的成就的同時仍需咬緊牙關，奮起直追“十三五”規劃目標。《儀器儀表行業十二五發展規劃中》要求，到2015年，儀器儀表行業總產值或接近萬億元，年平均增長率達15%左右。2014年，儀器儀表生產總值達8185.67億元，同時2015年1-11月，儀器儀表制造業主營業務達7741.1億元。在增長率方【查看全文】
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02
2016年
01月 -
據國家統計局12月27日發布的規模以上工業企業財政數據顯示，2015年1-11月，我國儀器儀表制造業主營收入達7741.1億元，同比增長6.4%，增長幅度較1-10月下降0.5%；同時儀器儀表利潤總額達620.9億元，同比增長6.3%，增長幅度較1-10月下降0.1%。從以上看出，我國儀器儀表制造業正處于整體持續增加階段，且同比增長幅度明顯，較往年相比，今年我國儀器儀表行業發展速度尤為快速。但11月份的漲幅明顯減弱，無論是主營收入還是增長幅度都表現了我國11月份儀器儀表行業波動明顯下降。今天，筆【查看全文】
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02
2016年
01月 -
儀器儀表屬于高科技產業，現已被廣泛用于各個領域中。無論是控制裝置、光學儀器，還是測量儀器、分析儀器，對控制的準確度和分析測量的精度要求都很高。今天我們主要來介紹一下我國儀器儀表產品技術發展現狀，希望可以幫助到大家。自2013年下半年開始我國儀器儀表產品出口趨于平穩，由于儀器儀表行業市場規模有限，預計出口增長將保持穩定，全年出口超過260億美元，增長5%左右;進口增幅仍將低于出口增幅，為3%~5%，進口額在440億美元左右。據海關統計，2013年我國累計出口儀器儀表產品253.7億美元，同比增長6【查看全文】
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25
2015年
12月 -
12月16日，世界貿易組織(WTO)宣布，中國、美國、韓國、日本等54個成員就擴大《信息技術協定》(ITA)產品范圍談判達成全面協議，未來3到5年將全面取消信息通信技術產品、半導體及其生產設備、視聽產品、醫療器械及儀器儀表等與當代科技發展密切相關的產品關稅。這是WTO18年來達成的zui大規模關稅減讓協議，也是IT產品*zui大規模的減稅協議。據商務部消息，該協定在1996年《信息技術協定》產品范圍基礎上新增201項產品。所有產品計劃于2016年7月1日起實施降稅，絕大多數產品將在3至5年后zu【查看全文】
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16
2015年
11月 -
本文分析了移相PWM控制串聯諧振逆變器的實現。通過改變移相角來調節傳送給負載的功率，對功率MOSFET輸出電容的影響，提出了一種控制方案以確保功率器件在各種負載條件下實現ZVS，保證全橋拓撲結構中MOSFET的柔性切換，使開關頻率緊密地跟隨諧振頻率，使逆變器工作在功率因數接近1的準諧振狀態。本文闡明了一種控制策略，提出了在各種負載條件下獲得ZVS的實現方法。通過改變移相角進行輸出功率的調節，改變開關頻率去確保ZVS狀態。設計者可以依據負載的不同要求及不同的應用場**用該控制方法。1移相控制串聯諧【查看全文】
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16
2015年
11月 -
開關電源一直是電子行業里非常熱門的技術，而它的發展趨勢又是大家必須時刻關注的問題，不然一不留神就會跟不上技術發展的步伐。以下是對開關電源技術發展關注焦點的調查得出的十個熱門關注點。關注點一：功率半導體器件性能1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用“超級結”(Super-Junction)結構，故又稱超結功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態電阻幾乎降低了一個數量級，仍保持開關速度快的特點，是一種有發展前途的高頻功率半導體電子器件。IGBT剛出現時，電壓、電流額定值只有【查看全文】
