校準特性:
- 在光電二極管的整個光譜范圍內,每隔10納米測量響應度
- 測量不確定度±5%
- NIST 可追溯
每個光電二極管都附帶響應度與波長的關系的數據表和圖。
不同批次的光電二極管之間的響應度不一樣。因此,您收到的光電二極管的響應也許與下面描述的會有輕微的差異,但是仍將附帶有校準數據。右圖顯示了不同FDS1010光電二極管之間的響應特性有多顯著。這些數據是從104個光電二極管中采集的。在每個數據點都計算了zui小、平均和zui大響應度,并給出了曲線。
請注意,在檢測器的有源區的邊緣的不均勻性可以產生不想要的電容和電阻效應,扭曲光電二極管輸出的時域響應。因此Thorlabs建議在光電二極管上的入射光集中在活動區域。這可以通過將前面的檢測器元件中的聚焦透鏡或針孔。
NIST可追溯校準的Si光電二極管 |
Zoom 點擊放大 我們提供兩種NIST可追溯校準的Si光電二極管現貨。Si光電二極管從可見到近紅外光譜比較敏感。FDS100-CAL和FDS1010-CAL都是大面積Si光電二極管,前者封裝在一個金屬管殼中,后者位于一個方形陶瓷基底上。關于它們的規格的詳細信息請參看規格標簽。 FDS100-CAL 響應率數據, FDS1010-CAL 響應率數據 Item # | Wavelength | Active Area | Rise/Fall Time* | NEP** | Dark Current | Package | Vbias,max | Pin Configuration | FDS100-CAL | 350 - 1100 nm | 3.6 x 3.6 mm | 10 ns @ 20 V | 1.2x10-14 W/Hz1/2 | 20 nA max (20 V) | Ø0.36" Can | 25 V | | FDS1010-CAL | 400 - 1100 nm | 9.7 x 9.7 mm | 45 ns @ 5 V | 5.5x10-14 W/Hz1/2 | 0.6 µA max (5 V) | 0.45" x 0.52" Ceramic Wafer | 20 V | | *RL=50 歐姆 **在 900 納米測量的結果 | |
NIST可追溯校準的Ge光電二極管 |
Zoom 我們提供兩種NIST可追溯校準的Ge光電二極管現貨。Ge光電二極管對800-1800納米的近紅外光譜比較敏感。FDG03-CAL和 FDG05-CAL用于鍍800 - 1800 納米增透膜,前者封裝在一個金屬管殼中,后者位于一個方形陶瓷基底上。關于它們的規格的詳細信息請參看規格標簽。. FDG03-CAL 響應率數據, FDG05-CAL 響應率數據 Item # | Wavelength | Active Area | Rise/Fall Time* | NEP** | Dark Current | Package | Vbias,max | Pin Configuration | FDG03-CAL | 800 - 1800 nm | Ø3 mm | 500 ns @ 3 V | 1.0x10-12 W/Hz1/2 | 4.0 µA max (1 V) | Ø0.36" Can | 3 V | | FDG05-CAL | 800 - 1800 nm | Ø5 mm | 220 ns @ 5 V | 4.0x10-12 W/Hz1/2 | 40 µA max (3 V) | 0.275" x 0.310" Ceramic Wafer | 5 V | | | |
NIST可追溯校準的InGaAs光電二極管 |
Zoom 我們的庫存中有NIST可追溯校準的InGaAs光電二極管。InGaAs光電二極管對從800到1700納米的近紅外光譜比較敏感。FGA21-CAL具有PIN結構,從而具有快速的零偏壓上升/下降時間。關于該光電二極管的規格的詳細信息請參看規格標簽。 FGA21-CAL 響應率數據 Item # | Wavelength | Active Area | Rise/Fall Time* | NEP** | Dark Current | Package | Vbias,max | Pin Configuration | FGA21-CAL | 800 - 1700 nm | Ø2 mm | 66 ns @ 0 V | 3.0x10-14 W/Hz1/2 | 200 nA max (1 V) | Ø0.36" Can | 3 V | | | |