SiC碳化硅量子點

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SiC碳化硅量子點

SiC量子點熒光標記與成像材料是一種生物惰性陶瓷材料，具有生物相容性及光學性能等特點。采用化學偶聯法,通過調整腐蝕劑組分及其相對含量,一步法實現了碳化硅量子點(SiC-QDs)表面物化特性的調控。采用化學腐蝕法制備碳化硅量子點由于工藝、可一步法實現量子點的表面修飾制備碳化硅量子點。

碳化硅量子點的制備

腐蝕液是由40%的氫氟酸HF與65%的濃硝酸HNO3按一定體積比配制而成。將自蔓延燃燒的均質納米β-SiC 粉末倒入腐蝕液并用塑料棒攪拌，在室溫條件下持續1h。將腐蝕產物置于電熱鼓風干燥器中烘干，對其機械研磨后加入400 mL 純水配制成溶液，而后放置于聲波分散儀中聲處理25min.將聲空化破碎分散后的碳化硅顆粒懸浮液置于臺式速離心機內速離心層析剪裁，尺寸的顆粒由于離心力作用沉于底部，而上層清液中則存在尺寸較?。{米）的SiC量子點。

結論：

腐蝕法制備碳化硅量子點，可一步法實現表面修飾，成型過程中即可形成－COO、－OH、Si-（OH)n、C=O、C=N及不同脂肪族化合物CH,等親有機物基團。濃硫酸作為偶聯劑，適當調整腐蝕劑組分相對含量，可以制備出表面具有巰基的碳化硅量子點水相溶液。

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