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半氫化石墨烯/單層氮化硼H-Gra/BN復合材料
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半氫化石墨烯/單層氮化硼H-Gra/BN復合材料
采用密度泛函理論原理的PBE-D方法,對半氫化石墨烯與單層氮化硼(H-Gra@BN)復合體系的結構穩定性,電子性質和磁性進行了的研究.計算了六種可能的堆疊方式,結果表明:H-Gra@BN體系的AB-B構型是的,為鐵磁性半導體,上,下自旋的帶隙分別為3.097和1.798 eV;每個物理學原胞具有約1 μ的磁矩,該磁矩主要來源于由未氫化的C原子的貢獻;在軸方向壓應力的作用下,H-Gra@BN體系的電子性質由磁性半導體轉變為半金屬,再轉變為非磁性金屬;預測了一種能地通過應力調控電子性質和磁性質的材料,應用在納米器件以及智能建筑材料等領域.
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二維氮化硼納米薄膜
運輸說明：
低溫產品：低溫產品運輸過程中加裝干冰運輸。
低溫產品：低溫產品運輸過程中加裝用冰袋運輸。
常溫產品：常溫產品運輸過程中無需加冰或者包裝。
溫馨提示：西安瑞禧生物供應產品用于科研，不能用于人體（YQ2021.3）
