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定制-立方相碳化硅量子點半導體納米球
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定制-立方相碳化硅量子點半導體納米球
立方相碳化硅(3C-SiC)具有許多的力,熱,光和電學性能,這使它在溫,大功率,壓,頻等條件下的應用.納米3C-SiC具有多體相所沒有的性能,如藍光發射和場發射性能,光催化,氫存儲,彈性模量等,已成為當前半導體納米材料研究的之一。
1.以顆粒尺寸在微米量級的3C-SiC粉末為，通過與硝酸化學腐蝕、聲振蕩，在乙醇中制備出了3C-SiC納米小顆粒。
2.將硅片蓋在裝有硫化鋅(ZnS)和活性碳混合粉末的坩鍋上，在常壓、氬氣保護下，1150℃加熱4小時，在硅片下表面得到的3C-SiC納米球。
3.用一種簡單、的方法，以活性碳、Si和ZnS粉末為，制備了的3C-SiC納米線。這些納米線的直徑為8-60 nm，長度為幾μm。一些納米線的彎曲處，存在非晶區域，其中包裹有直徑為幾納米、晶化的小晶粒。
4.將Si粉球磨減小尺寸后，與活性碳混合，在常壓下1250℃加熱4小時，制備了針狀與Y形的3C-SiC納米須。同樣的條件下，用未球磨過的Si粉，生成物是直徑、表面光滑程度都不同的3C-SiC納米棒和納米竹節結構，并伴有一定量的未反應完的Si顆粒。反應中殘留的氧氣在3C-SiC成核與生成過程起關鍵作用。
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