-可見光響應的碳石墨相氮化碳薄膜
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-可見光響應的碳石墨相氮化碳薄膜
產品:可見光響應的碳石墨相氮化碳薄膜/非晶含氫氮化碳(a-CNxH)薄膜/氮化碳(CNx)薄膜/氮化碳(CNx/TiN)復合薄膜。
類石墨相氮化碳膜制備、改性及其光電化學性能研究
類石墨相氮化碳(g-CN)作為化學穩定性且可見光響應的非金屬半導體材料,被應用于光解水和有機污染物降解。然而,一方面傳統熱聚合方法獲得的氮化碳可見光吸收范圍窄,光生載流子復合率,使得其太陽能利用率低;另一方面目前氮化碳膜的制備工藝復雜、穩定性差,制約了氮化碳的器件化。基于這些問題,通過溶劑熱法直接在基底上制備氮化碳膜、進一步通過構建TiO_2/g-CN雙層膜結構及對氮化碳表面修飾鎳鈷雙金屬氫氧化物(Ni-Co LDH),從而其可見光吸收并降低載流子復合,獲得了光電性能的氮化碳膜。主要研究內容有:1、以乙腈作為溶劑,利用三聚氯氰和三聚氰胺共聚反應,在導電玻璃上溶劑熱成膜,熱處理之后得到了連續完整的氮化碳膜。研究結果表明,相比于固相熱聚合制備的氮化碳,經24 h溶劑熱反應和520℃熱處理獲得的氮化碳聚合程度,末端缺陷少,可見光吸收600 nm,膜與基底結合牢靠,大地降低了界面阻抗,在0.6 V(vs SCE)電壓下,光電流3.7μA cm-2,是固相熱聚合獲得的氮化碳的18倍。2、分別采用旋凃燒結法制備銳鈦礦相TiO_2-A薄膜和水熱法制備了金紅石相TiO_2-R納米棒陣列作為電子傳輸層,溶劑熱負載g-CN作為可見光吸收層,構建了TiO_2-A/g-CN和TiO_2-R/g-CN雙層膜電。研究結果表明,兩種TiO_2都能與g-CN能級匹配,形成異質結,從而抑制光生載流子的復合,光電轉換能力。納米棒陣列的取向性及棒間間隙降低了g-CN過程中的體相聚集,并將光照與載流子傳輸方向錯開,兼顧光學吸收及載流子傳輸能力,增加了半導體-溶液接觸面積,因而TiO_2/g-CN光電化學性能。在0.6 V(vs SCE)電壓下,TiO_2/g-CN納米棒核殼陣列的光電流81μA cm-2,是g-CN的16倍。3、采用陰沉積法在g-CN表面修飾Ni-Co LDH材料。研究結果表明,LDH的引入改變了半導體的表面:一方面,Ni-Co LDH片層具有比表面積,羥基和水,通過不斷地吸脫附反應物和生成物,為傳質提供便利,降低了氧氧鍵形成的能壘,從而進水氧化進行;另一方面,LDH*氮化碳膜表面孔洞,避免了電流分路產生。在0.6 V(vs SCE)電壓下,當LDH沉積電量為10 mC時,g-CN/LDH光電流11μA cm-2,是g-CN的2.5倍。
產品供應列表:
磷摻雜的介孔石墨類氮化碳(P-mpg-C3N4)
釩酸鐵摻雜石墨相氮化碳材料
鉬酸鐵摻雜石墨相氮化碳材料
釩酸鎘摻雜石墨相氮化碳材料
鉀-鈉共摻雜石墨型氮化碳(g-C3N4)光催化劑
鈉摻雜石墨相氮化碳
鈀摻雜石墨相氮化碳納米材料
銀摻雜/改性二維石墨相氮化碳復合光催化劑(Ag/g-C3N4)
鐵摻雜石墨相氮化碳(Fe3O4/g-C3N4)
磷鎢酸修飾鐵改性石墨相氮化碳
鐵摻雜氮化碳/介孔石墨碳復合催化劑
鈰Ce摻雜石墨相氮化碳(g-C3N4)
磁性多孔碳摻雜的石墨相氮化碳納米復合材料
Fe3+摻雜類石墨相氮化碳(g-C3N4).
二氨基馬來腈共聚合改性氮化碳光催化劑
富碳類石墨相氮化碳(g-C3N4)
石墨型氮化碳/聚酰亞胺復合材料
氮化碳改性二氧化鈦親水多孔薄膜
介孔石墨相氮化碳負載氧化釩催化劑(V/CND)
SBA-15負載的石墨相氮化碳g-C3N4催化劑
石墨相氮化碳負載磷鎢酸雜化材料
氮化碳上負載的AgPd納米催化劑
氮化碳負載錳摻雜二維納米復合材料
活性炭負載碳摻雜石墨相氮化碳
氧化鋯負載氮化碳(ZrO2/g-C3N4)
BiOBr/g-C3N4(CNBi)復合光催化劑
MIL?53(Fe)/g?C3N4納米片復合光催化材料
綠色熒光氮化碳納米片
TiO2(B)@g-C3N4復合納米片光催化劑
SnS2/g-C3N4復合納米片光
聚乙烯醇/聚多巴胺-氮化碳滲透汽化復合膜
硬相氮化碳(α/β-C3N4)
晶態氮化碳(β-C3N4)材料
黑磷納米片負載納米銀復合材料
黑磷納米片/硫化銅納米粒子復合材料
靶向光熱黑磷納米制劑
黑磷烯量子點-石墨烯納米片三維復合材料
黑磷納米顆粒表面包裹介孔二氧化硅
石墨烯/黑磷量子點/含氮離子液體復合氣凝膠
PEG修飾的黑磷量子點
黑磷二氧化鈦異制結構材料負載貴金屬納米粒子
纖維素/黑磷量子點復合水凝膠
黑磷量子點摻雜的ZnO納米粒子(BPQDs@Zn O)
黑磷量子點的紅膜納米囊泡(BPQD-EMNVs)
,、,提供核磁,HPLC,LCMS,GC圖譜 ,,如遇任
何質量問題,
溫馨提示:西安瑞禧生物供應產品用于科研,不能用于人體(wyf2020.02.12)