傳感器按照其制造工藝分類
集成傳感器薄膜傳感器 厚膜傳感器陶瓷傳感器
集成傳感器是用標準的生產硅基半導體集成電路的工藝技術制造的。
通常還將用于初步處理被測信號的部分電路也集成在同一芯片上。

p+f處理器分離型傳感器$重慶倍加福總現(xiàn)貨
傳感器按照其制造工藝分類
集成傳感器薄膜傳感器 厚膜傳感器陶瓷傳感器
集成傳感器是用標準的生產硅基半導體集成電路的工藝技術制造的。
通常還將用于初步處理被測信號的部分電路也集成在同一芯片上。
薄膜傳感器則是通過沉積在介質襯底（基板）上的，
相應敏感材料的薄膜形成的。使用混合工藝時，
同樣可將部分電路制造在此基板上。 　　
厚膜傳感器是利用相應材料的漿料，涂覆在陶瓷基片上制成的，
基片通常是Al2O3制成的，然后進行熱處理，使厚膜成形。 　　
陶瓷傳感器采用標準的陶瓷工藝或其某種變種工藝（溶膠-凝膠等）生產。 　　
完成適當的預備性操作之后，已成形的元件在高溫中進行燒結。
厚膜和陶瓷傳感器這二種工藝之間有許多共同特性，在某些方面，
可以認為厚膜工藝是陶瓷工藝的一種變型。 　　
每種工藝技術都有自己的優(yōu)點和不足。由于研究、
開發(fā)和生產所需的資本投入較低，
以及傳感器參數的高穩(wěn)定性等原因，
采用陶瓷和厚膜傳感器比較合理。
P+F NBN8-18GM50-E2-C-V1
P+F RL28/55/47/82B/105
P+F NBB5-18GM60-WS
P+F LCR18-3.2-2.0-K5
P+F NJ1.5-8GM40-E2-V1
P+F V1-W
P+F NBN4-12GM40-Z0-V1
P+F NBB0.8-5GM25-E2
P+F NEB22-30GM60-E2-V1
P+F NBN15-30GM50-E2
P+F NBN8-18GM50-E2
P+F LFL3-BK-U-PVC5
P+F NBN4-12GM40-Z0-V1
P+F NJ0.6-3-22-E2
P+F NJ5-11-N-G
P+F NBB15-30GM50-E2
P+F MLV40-6/47/92
P+F LLR04-1.6-1.0-WC3
P+F MLV40-LL-1R/47/92
P+F CJ8-18GM-E2-V1
P+F GLV12-8-200/37/40B/92
P+F V1-W-E2-10M-PUR（10米長）
P+F OCS5000-F8-UKT（RLK39-54-Z/31/40A/116）
P+F NBB5-18GM50-E2
P+F NEB6-12GM50-E2-V1
p+f處理器分離型傳感器$重慶倍加福總現(xiàn)貨
P+F RVI50N-09BK0A3TN-0500
P+F NJ6-F-A
P+F NJ5-11-N
P+F NJ2-11-N
P+F NJ1.5-6.5-N
P+F NJ8-18GM50-A2-V1
P+F NBN15-30GM50-E2-V1
P+F DVM58N-011AGROBN-1213
P+F NJ40+U1+E2
P+F RVI58N-011AAR6XN-01024
P+F NCB5-18GM60-B3-V1
P+F NCB5-18GM60-B3
P+F NBB5-18GM50-E2-V1
P+F NJ50-FP-E2-P1
P+F 9401 8*8
P+F NBB6-F-B3
P+F NJ20+U1+E2
：宋珍
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