主要特性與技術(shù)指標(biāo)
108 dB 的動(dòng)態(tài)范圍,<0.006 dB 跡線噪聲
<9 微秒/點(diǎn)的測(cè)量速度,32 個(gè)通道,16,001 點(diǎn)
支持 TRL/LRM 校準(zhǔn)、晶片上、夾具內(nèi)和波導(dǎo)測(cè)量
主要特性與技術(shù)指標(biāo)
108 dB 的動(dòng)態(tài)范圍,<0.006 dB 跡線噪聲
<9 微秒/點(diǎn)的測(cè)量速度,32 個(gè)通道,16,001 點(diǎn)
支持 TRL/LRM 校準(zhǔn)、晶片上、夾具內(nèi)和波導(dǎo)測(cè)量
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<9 微秒/點(diǎn)的測(cè)量速度,32 個(gè)通道,16,001 點(diǎn)
支持 TRL/LRM 校準(zhǔn)、晶片上、夾具內(nèi)和波導(dǎo)測(cè)量
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108 dB 的動(dòng)態(tài)范圍,<0.006 dB 跡線噪聲
<9 微秒/點(diǎn)的測(cè)量速度,32 個(gè)通道,16,001 點(diǎn)
支持 TRL/LRM 校準(zhǔn)、晶片上、夾具內(nèi)和波導(dǎo)測(cè)量
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108 dB 的動(dòng)態(tài)范圍,<0.006 dB 跡線噪聲
<9 微秒/點(diǎn)的測(cè)量速度,32 個(gè)通道,16,001 點(diǎn)
支持 TRL/LRM 校準(zhǔn)、晶片上、夾具內(nèi)和波導(dǎo)測(cè)量