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QUANTUM量子科學儀器貿易(北京)有限公司

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[供應]Nano CVD-多功能薄膜制備系統-Nano CVD

貨物所在地:北京北京市

更新時間:2024-10-07 21:00:07

有效期:2024年10月7日 -- 2025年4月7日

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Moorfield與學術界緊密合作研發的多功能薄膜制備系統-Nano CVD系統可以用來快速生產高質量的石墨烯用于學術和應用研究。

多功能薄膜制備系統-Nano CVD

 

產品簡介:

    NanoCVD系列臺式設備是為制備高質量的石墨烯與碳納米管而開發的高性能臺式CVD系統。在與諾獎科研團隊的長期合作中獲得的豐富經驗使該系列產品具有*的性能。別是針對石墨烯、碳納米管等不同的應用進行了針對性的化。該系列產品操作簡便,生長條件控制精準,生長迅速、制備出的樣品具有高質量、高可重復性,這些點使得該系列產品受到多個石墨烯研究團隊的贊譽。該系列產品適合于想要制備高質量石墨烯或碳納米管用于學術研究的團隊。例如,埃克塞大學、哈德斯菲爾德大學、萊頓大學、亞森工業大學這些的高校均是nanoCVD系列的用戶。

    nanoCVD采用全新的設計理念,可以快速、高質量地生產石墨烯或碳納米管。與傳統的簡易CVD(管式爐)相比,該系統基于冷壁設計方案,具有以下主要點:

◎  系統可以快速的升溫和降溫。

◎  更加精準的條件控制和可靠的工藝重現性。

◎  安全性設計,具有尾氣稀釋模塊。

◎  智能化設計,全自動引導式觸屏操作系統。

◎  支持自動程序的設定與儲存。

◎  雄厚的技術積累,業的技術支持。

設備型號:

臺式超高質量石墨烯快速制備CVD系統- nanoCVD 8G

    nanoCVD-8G系統可能是上超快的石墨烯生長系統。nanoCVD-8G具有壓強自動控制系統,可以精準的控制石墨烯生長過程中的氣氛條件。系統采用低熱容的樣品臺可在2分鐘內升溫至1000℃并精準控溫。該裝置采用了冷壁技術,樣品生長完畢后可以快速降溫。正是因為這些條件可以讓用戶在30分鐘內即可獲得高質量的石墨烯。用戶通過HMI觸屏進行操作,所有的硬件都是自動化的。更有內置的標準石墨烯生長示例程序供用戶參考。該系統安裝迅速,非常適合需要持續快速獲取高質量石墨烯用于高質量學術研究的團隊。埃克塞大學、哈德斯菲爾德大學、萊頓大學、亞森工業大學等很多*的高校都是該系統的用戶。

主要點:

 

◎  合成高質量、可重復的石墨烯

◎  生長條件精準控制

◎  高達溫度:1100 °C

◎  生長時間:<30 min

◎  基片尺寸大:20 × 40 mm2

◎  全自動過程控制

◎  MFC流量計控制過程氣體 (Ar、H2與CH4

◎  用戶友好型觸屏控制

◎  可設定、存儲多個生長程序

◎  可連接電腦記錄數據

◎  易于維護

◎  全面安全性設計,尾氣稀釋模塊

◎  兼容超凈間

◎  系統性能穩定

 

 

 

 

部分數據展示:

小型等離子增強大尺寸石墨烯制備CVD系統 - nanoCVD WPG

    nanoCVD-WPG將nanoCVD-8G高質量石墨烯生長的功能與等離子體增強技術相結合,系統可制備晶圓尺寸(3英寸或4英寸)別的樣品。除此之外,用該系統精準的生長控制條件可以制備多種高質量的2D材料,該系統是小型CVD系統性能上的個重大飛躍。全新的設計方案和控制系統使該系統成為制備大面積2D樣品的上佳選擇。

    應用域包括:石墨烯和2D材料、光伏電、觸屏材料、高性能生物電子材料、傳感器、儲能材料。

主要點:

 

  • 晶圓樣品尺寸: 3英寸、4英寸
  • 150 W/13.56 MHz RF 電源
  • 多個等離子體電
  • 高達溫度1100 °C
  • 腔體冷壁技術
  • 全自動精準條件控制
  • 用戶友好的觸屏操作
  • 可設定、存儲多個生長程序
  • 可連接電腦記錄數據
  • 易于維護
  • 全面安全性設計,尾氣稀釋模塊
  • 兼容超凈室
  • 基于成熟的NanoCVD技術

 

生長條件:

◎  襯底:Cu、Ni等薄膜或薄片

◎  工作原料:CH4,C2H4 PMMA等

◎  保護氣體:H2Ar,N2

 

典型配置指標:

◎  腔體:腔壁水冷技術,熱屏蔽不銹鋼腔體

◎  真空系統:分子泵系統,5×10-7 mbar本底真空。

◎  樣品臺:大4英寸直徑,高達1100°C 

◎  操作控制:觸摸屏/電腦接口;可手動控制或自動控制

◎  氣體控制:MFC 流量計,ArCH4H2為標配種類。

◎  過程控制:自動控制

◎  等離子源:150 W/13.56 MHz RF 電源,樣品臺附近或需要的位置產生等離子體。   

◎  安全性:冷卻與真空鎖系統,氣體稀釋模塊。

 

 

 

臺式超精準碳納米管快速制備CVD系統 - nanoCVD 8N

    nanoCVD-8N與石墨烯生長系統nanoCVD-8G有諸多共同之處,并針對碳納米管生長條件進行了化。這些條件對于碳納米管(CNT)樣品的質量和可重復性(主要是單壁形式)是至關重要的。創新的冷壁式腔體與傳統管式設備相比更易精準控制實驗條件和快速升降溫。nanoCVD-8N具有智能的控制系統和完備的安全性設計。設備易于安裝,易于使用,是快速進入高質量研究的理想選擇。該系統獲得沃里克大學用戶的高度贊譽。

    碳納米管可采用Fe、Co、Ni的納米顆粒作為催化劑生長在SiO2/Si, Si3N4以及石英等襯底上。

    通過襯底與催化劑的選擇,可以生長的碳納米管有:

•   隨機:  隨機方向的相互交疊的單壁碳納米管

•   有序:  平行的單壁碳納米管

•   豎直:  豎直的單壁碳納米管束

主要點:

 

◎  合成的碳納米管具有很高的可重復性;

◎  門為單壁碳納米管進行了化;

◎  生長條件精準控制;

◎  高達溫度:1100 °C;

◎  MFC流量計控制過程氣體 (Ar、H2與CH4);   

◎  基片尺寸:大20 × 40 mm2

◎  生長時間:<30 min;

◎  全自動生長條件精準控制;

◎  用戶友好型觸屏;

◎  可設定、存儲多個生長程序

◎  可連接電腦記錄數據;

◎  易于維護;

◎  全面安全性設計,尾氣稀釋模塊;

◎  兼容超凈間;

◎  系統性能穩定;

 

部分數據展示:

 

 

 用戶單位

埃克塞大學

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哈德斯菲爾德大學

    

萊頓大學

 

亞琛工業大學

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