高精度光學(xué)浮區(qū)法單晶爐

      Quantum Design Japan公司推出的高溫光學(xué)浮區(qū)法單晶爐，采用鍍金雙面鏡、高反射曲面設(shè)計，高溫度可達(dá)2100℃-2200℃，系統(tǒng)采用高效冷卻節(jié)能設(shè)計（不需要額外冷卻系統(tǒng)），穩(wěn)定的電源輸出保證了燈絲的恒定加熱功率......

應(yīng)用域：

■  高溫超導(dǎo)體

■  介電和磁性材料

■  金屬間化合物

■  半導(dǎo)體/光學(xué)晶體/寶石

產(chǎn)品點：

■  占地空間小，操作簡單，易于上手，立支撐設(shè)計

■  鍍金雙面高效反射鏡，加熱效率更高

■  可實現(xiàn)溫度達(dá)2150°C

■  穩(wěn)定的電源

■  內(nèi)置閉循環(huán)冷卻系統(tǒng)，無需外部水冷裝置

■  采用商業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)鹵素?zé)?/span>

      光學(xué)浮區(qū)法（垂直區(qū)熔法）也可以說是種垂直的區(qū)熔法。在生長裝置中，在生長的晶體和多晶棒之間有段靠光學(xué)聚焦加熱的熔區(qū)，該熔區(qū)有表面張力所支持。熔區(qū)自上而下或自下而上移動，以完成結(jié)晶過程。

      浮區(qū)法的主要點是不需要坩堝，也由于加熱不受坩堝熔點限制，可以生長熔點*材料。生長出的晶體沿軸向有較小的組分不均勻性在生長過程中容易觀察等。浮區(qū)法晶體生長過程中，熔區(qū)的穩(wěn)定是靠表面張力與重力的平衡來保持，因此，材料要有較大的表面張力和較小的熔態(tài)密度。浮區(qū)法對加熱技術(shù)和機(jī)械傳動裝置的要求都比較嚴(yán)格。

鏡面系統(tǒng)

發(fā)表文章

1. High quality(InNb)0.1Ti0.9O2 single crystal grown using optical floating zone method, Journal of Crystal Growth 446(2016)74–78.

2. 光學(xué)浮區(qū)法生長摻銦氧化鎵單晶及其性能, 硅酸鹽學(xué)報 Vol. 45，No. 4，April，2017，P548-P552.

3. Ultralow-temperature heat transport in the quantum spin liquid candidate Ca10Cr7O28 with a bilayer kagome lattice, PHYSICAL REVIEW B 97, 104413 (2018).

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