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(國(guó)外進(jìn)口)Al2O3+GaN薄膜
  • (國(guó)外進(jìn)口)Al2O3+GaN薄膜
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貨物所在地:安徽合肥市

更新時(shí)間:2024-07-11 21:00:05

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(國(guó)外進(jìn)口)Al2O3+GaN薄膜

產(chǎn)品名稱(chēng):

AL2O3+GaN 薄膜(進(jìn)口料)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

MOCVD方法制作AL2O3為襯底的GaN外延薄膜。國(guó)外進(jìn)口材料,品質(zhì)優(yōu)質(zhì),歡迎選購(gòu)。

技術(shù)參數(shù):

產(chǎn)品名稱(chēng):

GaN <0001> 厚度4.5um

GaN <0001> 厚度2um ,3um

摻雜類(lèi)型:

N /Si

P/Mg

常規(guī)尺寸:

dia2" +/-0.25mm;

dia2" +/-0.25mm;

電阻:

2.5E-3ohm-cm

2.0-5.0

載流子濃度:

1E19/cc

/


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)規(guī)格:dia2″

標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋或單片盒包裝

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