目錄:中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司>>晶體產(chǎn)品>>Ⅲ-Ⅴ族晶體基片>> GaN氮化鎵（GaN）晶體基片
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更新時(shí)間：2024-10-22 15:30:05瀏覽次數(shù)：2844評(píng)價(jià)
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產(chǎn)品名稱： | 氮化鎵(GaN)晶體基片 | ||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介： | GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶，能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG(因?yàn)?span style="font-family:arial">2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質(zhì)低價(jià)位的氮化鎵晶體和基片。 | ||||||||||||||||
技術(shù)參數(shù)： |
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產(chǎn)品規(guī)格： | 晶體方向: <0001>;常規(guī)尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um； 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 | ||||||||||||||||
標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋或單片盒裝 |
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