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目錄:中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司>>晶體產(chǎn)品>>超導(dǎo)薄膜雙晶基片>> 非極性GaN晶體基片

非極性GaN晶體基片
  • 非極性GaN晶體基片
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 合肥市
屬性

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更新時(shí)間:2024-10-22 13:59:58瀏覽次數(shù):2029評(píng)價(jià)

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非極性GaN晶體基片


產(chǎn)品名稱:

非極性氮化鎵(GaN)晶體基片

技術(shù)參數(shù):

晶體定位面:

A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.

傳導(dǎo)類型:

N型;半絕緣型

電阻率:

R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm

表面粗糙度:

<0.5nm

位錯(cuò)密度:

<5x106Ω.cm

可用表面積:

>90%

TTV:

≤15um;


產(chǎn)品規(guī)格:

常規(guī)尺寸:10x5x0.5mm;

厚度公差:+/-0.05mm;

注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。

標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋

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