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中美合資合肥科晶材料技術有限公司
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目錄:中美合資合肥科晶材料技術有限公司>>晶體產品>>A-Z系列晶體列表>> GaN薄膜
更新時間:2024-10-22 11:34:08瀏覽次數:1434評價
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Ni基底石墨烯
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詳細介紹
氮化鎵(GaN)薄膜
氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。在HVPE過程中,鹽酸反應生成GaCl,而這又與氨反應生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化鎵單晶基板。
技術參數:
dia50.8±1mm x 4um,10-25um.
dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型
注:可按客戶需求定制特殊堵塞方向和尺寸。
>90%
標準包裝:
1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
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