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目錄:中美合資合肥科晶材料技術有限公司>>晶體產品>>A-Z系列晶體列表>> GaN薄膜

GaN薄膜
  • GaN薄膜
參考價 面議
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  • 品牌
  • 型號
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 合肥市
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更新時間:2024-10-22 11:34:08瀏覽次數:1434評價

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氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。在HVPE過程中,鹽酸反應生成GaCl,而這又與氨反應生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化鎵單晶基板。


產品名稱:

氮化鎵(GaN)薄膜

產品簡介:

氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。在HVPE過程中,鹽酸反應生成GaCl,而這又與氨反應生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化鎵單晶基板。




 技術參數:

常規尺寸

dia50.8±1mm  x 4um,10-25um.

dia100±1mm  x 4um,10-25um. <0001>±1° N型

注:可按客戶需求定制特殊堵塞方向和尺寸。

產品定位C軸<0001>±1°
傳導類型N型;半絕緣型;P型
電阻率R<0.05 Ohm-cm;半絕緣型R>106 Ohm-cm
位錯密度<1x108 Cm-2
表面處理(鎵面)AS Grown
有效值<1nm
可用表面積

>90%

標準包裝:

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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