石墨烯（Graphene）自2004年發現以來，在短短數年間已經成為凝聚態物理、化學、生命科學、材料科學等領域研究中倍受矚目的“明星材料”。幾年內，在SCI雜志上，發表了上萬篇關于石墨烯的文章，這種研究熱度將維持很長時間。
化學氣相沉積（CVD）是目前制備石墨烯的zui有效、也是研究價值的方法。但搭建一套完整而高效的石墨烯化學氣相沉積系統并非易事。即使在系統搭建完成后，要真正制備出單層石墨烯，還需要長時間的參數優化。往往使得科研人員錯過了*的研究時機。
G－CVD石墨烯化學氣相沉積系統由北京科銳精儀公司與國內*石墨烯研究機構合作開發，提供完整的石墨烯生長系統。可制備高質量大面積石墨烯（zui大厘米量級）
系統內置了在不同襯底上制備石墨烯所需要的參數，用戶只需簡單的選擇襯底類型，可以輕松的制備出自己的石墨烯。為研究人員節省大量時間。
同時，G－CVD還可用于納米金剛石、碳納米管，及其它材料的CVD生長制備。
主要參數：
樣品腔
溫度范圍：室溫~1050度
功率：2.5 kW
末端口：不銹鋼法蘭接口，外置水冷卻
進樣方式：手動
氣路及真空
氣體：
Ar 純度99.99%以上，40L，配惰性氣體減壓閥，流量0~1000 sccm；
H2 純度99.999%，40L，配氫氣減壓閥，流量0~200 sccm；
CH4 純度99.999%，40L，配減壓閥，流量0~10 sccm （更大量程可選）；
13CH4 純度99.999%，10L，配減壓閥，流量0~10 sccm （限同位素CVD系統）；
機械泵：
抽速400 L/min，極限真空5x10-3 Torr，油霧過濾
液氮冷阱：用于獲得更高真空（可選配件）
過壓泄氣閥：大于760Torr，自動開啟
真空調節閥：調節樣品腔內的氣壓，手動（自動控制式可選）
控制模塊：
溫度、氣流及真空采用計算機控制，其中部分功能也可以采用手動控制。計算機實時控制和顯示所有與生長有關的實驗參數，自動保存實驗參數，給實驗帶來*的方便，并提高實驗的精確性。
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