化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>薄膜生長設(shè)備>化學(xué)氣相沉積設(shè)備>G-CVD 石墨烯Graphene化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
G-CVD 石墨烯Graphene化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 北京科銳精儀科技有限公司
- 品牌
- 型號 G-CVD
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2015/7/21 12:15:59
- 訪問次數(shù) 1131
產(chǎn)品標(biāo)簽
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
石墨烯(Graphene)自2004年發(fā)現(xiàn)以來,在短短數(shù)年間已經(jīng)成為凝聚態(tài)物理、化學(xué)、生命科學(xué)、材料科學(xué)等領(lǐng)域研究中倍受矚目的“明星材料”。幾年內(nèi),在SCI雜志上,發(fā)表了上萬篇關(guān)于石墨烯的文章,這種研究熱度將維持很長時間。
化學(xué)氣相沉積(CVD)是目前制備石墨烯的zui有效、也是研究價值的方法。但搭建一套完整而高效的石墨烯化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)并非易事。即使在系統(tǒng)搭建完成后,要真正制備出單層石墨烯,還需要長時間的參數(shù)優(yōu)化。往往使得科研人員錯過了*的研究時機。
G-CVD石墨烯化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)由北京科銳精儀公司與國內(nèi)*石墨烯研究機構(gòu)合作開發(fā),提供完整的石墨烯生長系統(tǒng)。可制備高質(zhì)量大面積石墨烯(zui大厘米量級)
系統(tǒng)內(nèi)置了在不同襯底上制備石墨烯所需要的參數(shù),用戶只需簡單的選擇襯底類型,可以輕松的制備出自己的石墨烯。為研究人員節(jié)省大量時間。
同時,G-CVD還可用于納米金剛石、碳納米管,及其它材料的CVD生長制備。
主要參數(shù):
樣品腔
溫度范圍:室溫~1050度
功率:2.5 kW
末端口:不銹鋼法蘭接口,外置水冷卻
進樣方式:手動
氣路及真空
氣體:
Ar 純度99.99%以上,40L,配惰性氣體減壓閥,流量0~1000 sccm;
H2 純度99.999%,40L,配氫氣減壓閥,流量0~200 sccm;
CH4 純度99.999%,40L,配減壓閥,流量0~10 sccm (更大量程可選);
13CH4 純度99.999%,10L,配減壓閥,流量0~10 sccm (限同位素CVD系統(tǒng));
機械泵:
抽速400 L/min,極限真空5x10-3 Torr,油霧過濾
液氮冷阱:用于獲得更高真空(可選配件)
過壓泄氣閥:大于760Torr,自動開啟
真空調(diào)節(jié)閥:調(diào)節(jié)樣品腔內(nèi)的氣壓,手動(自動控制式可選)
控制模塊:
溫度、氣流及真空采用計算機控制,其中部分功能也可以采用手動控制。計算機實時控制和顯示所有與生長有關(guān)的實驗參數(shù),自動保存實驗參數(shù),給實驗帶來*的方便,并提高實驗的精確性。