少子壽命測試儀
具體成交價以合同協議為準
- 公司名稱 北京合能陽光新能源技術有限公司
- 品牌
- 型號
- 產地
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2018/5/9 19:38:12
- 訪問次數 1170
產品標簽
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產品介紹:
HS-CLT少子壽命測試儀是一款功能異常強大的少子壽命測試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測量，更適用于硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規則形狀硅少子壽命的測量。少子測試量程從1μs到20000μs,硅料電阻率下限達0.1Ω.cm,（可擴展至0.01Ω.cm）。測試過程全程動態曲線監控，少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應表面復合效應等缺陷情況，是原生多晶硅料及半導體及太陽能拉晶企業*少子壽命測量儀器。
HS-CLT少子壽命測試儀是一款功能異常強大的少子壽命測試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測量，更適用于硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規則形狀硅少子壽命的測量。少子測試量程從1μs到20000μs,硅料電阻率下限達0.1Ω.cm,（可擴展至0.01Ω.cm）。測試過程全程動態曲線監控，少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應表面復合效應等缺陷情況，是原生多晶硅料及半導體及太陽能拉晶企業*少子壽命測量儀器。
產品特點
■測試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片（用于硅棒尾部反切2mm以上）等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
■主要應用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進廠、出廠檢查，生產工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監控等。
■適用于低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達ρ＞0.1Ω·cm（可擴展至0.01Ω·cm），完*了微波光電導無法檢測低阻單晶硅的問題。
■全程監控動態測試過程，避免了微波光電導（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應，表面復合效應缺陷的問題。
■貫穿深度大，真正體現了少子的體壽命的測量，避免了表面復合效應的干擾。
■專業定制樣品架zui大程度地滿足了原生多晶硅料生產企業測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
■全程監控動態測試過程，避免了微波光電導（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應，表面復合效應缺陷的問題。
■貫穿深度大，真正體現了少子的體壽命的測量，避免了表面復合效應的干擾。
■專業定制樣品架zui大程度地滿足了原生多晶硅料生產企業測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
■性價比高，價格遠低于國外國外產品，*程度地降低了企業的測試成本。
*工作條件
■溫度：23±2℃
■濕度：60%~70%
■無強磁場、不與高頻設備鄰近
■濕度：60%~70%
■無強磁場、不與高頻設備鄰近
技術指標
■主機構成：HS-CLT主機1臺,HS-CAL高級讀顯機１臺，測試樣片1片，光源線，信號線，光源電極板，防塵罩，砝碼，立柱，樣品托架
■測試范圍廣：硅半導體材料-硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片（用于硅棒尾部反切2mm以上）等，鍺半導體材料，拋光，研磨，裸片多種類型都可測試
■少子壽命測試范圍:1μs-20000μs
■少子壽命測試范圍:1μs-20000μs
■ 電阻率范圍：0.1Ω.cm-10000Ω.cm
■ 激光波長：904-905nm/1.06-1.07um
■工作頻率：30MHz
■低輸出阻抗，輸出功率＞1W
■電源：～220V 50Hz 功耗＜50W
■檢測分辨率：0.1﹪。
■測試點大小：<10m㎡；
采購中心
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