少子壽命測試儀
 
XH-120是一款經(jīng)濟(jì)實(shí)用的硅晶片少子壽命測量儀器，控制裝置既適用于研究也適用于生產(chǎn)。采用準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)（QSSPC） 測量方法測量，此方法是測量硅片，摻雜物擴(kuò)散，和的*方法。

 
 
 
功能特點(diǎn)  
■ 準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法（QSSPC）
■ 非接觸式測量
■ 可測單晶多晶硅片，電阻率， 陷阱密度，發(fā)射極飽和電流密度，和隱含電壓
■ 檢測晶片加工過程中重金屬污染
■ 測量范圍：0.1μs~大于10ms
■ 可用頻譜：白光和紅外照明
■ 傳感器領(lǐng)域：40毫米（直徑）
■ 樣本標(biāo)準(zhǔn)直徑：40–210 mm （尺寸較小，也可測量）
■ 硅片厚度范圍：10–2000 μm （其他厚度可衡量）
■ 儀器尺寸：22.5 cm W x 28 cm D x 57 cm H

 
延伸閱讀  

準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法（QSSPC）和微波光電導(dǎo)衰減法（MWPCD）的比較
QSSPC方法*于其他測試壽命方法的一個(gè)重要之處在于它能夠在大范圍光強(qiáng)變化區(qū)間內(nèi)對(duì)過剩載流子進(jìn)行測量，同時(shí)可以結(jié)合 SRH模型，得出各種復(fù)合壽命，如體內(nèi)缺陷復(fù)合中心引起的少子復(fù)合壽命、表面復(fù)合速度等隨著載流子濃度的變化關(guān)系。
MWPCD方法測試的信號(hào)是一個(gè)微分信號(hào)，而QSSPC方法能夠測試的真實(shí)值，MWPCD在加偏置光的情況下，結(jié)合理論計(jì)算可以得出隨著過剩載流子的變化曲線，而QSSPC直接就能夠測得過剩載流子濃度，因此可以直接得出與過剩載流子濃度的關(guān)系曲線，并且得到PN結(jié)的暗飽和電流密度；MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個(gè)到十幾個(gè)，甚至更小的尺寸，在照射過程中，只有這個(gè)尺寸范圍的區(qū)域才會(huì)被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子，也就是得到的結(jié)果是局域區(qū)域的差額壽命值，這對(duì)于壽命分布不均勻的樣品來說，結(jié)果并不具備代表性。